【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及半导体制造的领域，并且更具体的涉及互连结构中的选择性金属帽。
技术介绍
1、通常，有源器件和无源器件被形成在半导体衬底上和半导体衬底中。一旦被形成，这些有源器件和无源器件可以使用一系列导电层和绝缘层彼此连接并且被连接到外部器件。这些层可以有助于互连各种有源器件和无源器件，以及通过例如接触焊盘提供到外部器件的电连接。
2、为了在这些层内形成这些互连，可以采用一系列光刻、蚀刻、沉积和平坦化技术。然而，随着有源器件和无源器件的尺寸减小，这种技术的使用变得更加复杂，这导致期望的互连尺寸的减小。因此，期望改进互连的形成和结构，以使整个器件更小、更便宜和更有效，同时缺陷或问题更少。
技术实现思路
1、根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体结构的方法，包括：在导电特征之上沉积电介质层；图案化所述电介质层以在所述电介质层中形成开口，所述开口暴露所述导电特征的第一部分；在所述导电特征之上选择性地沉积金属帽；以及在所述开口的侧壁上和所述金属帽之上沉积阻挡层。
2、...
【技术保护点】
1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属帽包括钨。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属帽与所述蚀刻停止层的侧壁接触。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层没有与所述金属帽的界面。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层是第一电介质层，其中，所述开口暴露位于所述第一电介质层下方的第二电介质层，所述导电特征被嵌入在所述第一电介质层中，其中，图案化...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属帽包括钨。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属帽与所述蚀刻停止层的侧壁接触。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层没有与所述金属帽的界面。
7.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗唯仁，章勋明，蔡明兴，林俊杰，苏鸿文，李亚莲，曾志翰，郭至诚，赖怡安，黄奎文，何冠宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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