本技术提供一种半导体封装，包括第一层以及包括TIV及第三晶粒的第二层。第一层包括第一重布线结构以及并排设置且藉由第一绝缘包封体隔开的第一与第二晶粒。第一绝缘包封体的表面、第一晶粒的第一晶粒连接件的表面及第二晶粒的第二晶粒连接件的截切球形...

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括SRAM单元。在实施例中，所述SRAM单元包括位于基板上方的通道区、与通道区相连的源极/漏极部件、与通道区相交的栅极结构以及与该源极/漏极部件以及该栅极结构相连的第一接触部件。第一接触部件的一部分...

本文公开了用于堆叠器件结构的接合和隔离技术。示例性方法包括：在第一器件组件上形成第一绝缘层；在第二器件组件上形成第二绝缘层；以及接合第一绝缘层和第二绝缘层。接合提供了堆叠结构，堆叠结构包括位于第二器件组件上方的第一器件组件以及它们之间的...

方法包括：形成包括交替设置的伪层和半导体层的多层堆叠件；以及在多层堆叠件的侧壁和顶面上形成多个伪栅极堆叠件。多个伪栅极堆叠件中的两个彼此紧邻，并且在它们之间具有间隔。在多层堆叠件中形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，第二源极/漏...

半导体结构包括中介层，其包括集成被动装置；晶粒侧重布线结构；第一中介层上凸块结构；以及第二中介层上凸块结构。第一晶粒侧重布线的布线内连线电性连接集成被动装置中的电性节点至第一中介层上凸块结构。第二晶粒侧重布线的布线内连线提供个别的电性连...

提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开实施例的半导体结构包括：半导体主体的沟道区域，升高至隔离部件之上；栅极结构，包裹在沟道区域上方；源极/漏极部件，与沟道区域的侧壁接触；背侧硅化物层，设置在源极/漏极部件的底面上；以及背侧接触部件，...

一种制造半导体装置的方法及制造互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，制造半导体装置的方法包括决定光阻剂成分中副产物的浓度。当副产物的浓度低于临界值时，使用光阻剂成分在基板上方形成光阻剂层。在光阻剂层中形成光阻剂图案，以露出基板的一部分，...

本技术实施例涉及一种具有在电介质层中形成的二维光子晶体的滤色层的彩色显示器，其包含：滤色层，其包含具有光子晶体阵列的电介质层；电致发光材料，其放置于所述滤色层上；及电极，其经布置以电激发所述电致发光材料输出白光。每一光子晶体包含二维2D...

方法包括：将光子封装件连接至衬底，其中，光子封装件包括波导和光学耦合至波导的边缘耦合器；将半导体器件邻近光子封装件连接至衬底；在光子封装件的邻近边缘耦合器的第一侧壁上沉积第一保护材料；用密封剂密封光子封装件和半导体器件；穿过密封剂和衬底...

本申请的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种方法包括形成包括第一FinFET和第二FinFET的互补场效应晶体管(CFET)。用于形成第一FinFET的工艺包括形成具有第一总数的至少一个半导体鳍，以及在至少一个所述半导体鳍上形成...

一种制造封装件的方法包括形成第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括第一聚合物层和第一电连接件，第一电连接件的至少一部分位于第一聚合物层中。第二封装组件包括第二聚合物层和第二电连接件，第二电连接件的至少一部分位于第二聚合物层中。将第...

一种制造半导体封装件的方法包括提供具有多个第一连接结构的半导体芯片，多个第一连接结构设置在多个金属化层的最顶部金属化层上。该方法包括形成包括多个导电层和多个通孔结构的再分布结构，多个导电层的相邻导电层通过多个通孔结构的至少对应的一个通孔...

本公开提供一种封装体，包括封装剂、密封剂、黏着剂以及盖件。封装剂横向包围第一集成电路装置以及第二集成电路装置，其中第一集成电路装置包括管芯以及位于管芯上方的散热结构；密封剂设置于散热结构上方；黏着剂设置于第二集成电路装置上方；盖件设置于...

一种半导体装置，包括基板、第一及第二场效晶体管。第一场效晶体管包括第一及第二鳍片基部设置在第一基板区上，第一及第二鳍片结构分别设置在第一及第二鳍片基部上，第一源极/漏极区设置在第一及第二鳍片基部上且与其侧壁接触，第一对间隔物设置在第一源...

一种半导体器件的单元区包括：在衬底上形成为预定形状的有源区(AR)，所述有源区包括具有第一形状并相应地具有第一和第二掺杂剂类型的第一AR和第二AR、具有第二形状并具有第二掺杂剂类型的第三AR、以及具有第三形状并具有第一掺杂剂类型的第四A...

本公开的各个实施例针对包括设置在第一导电互连结构和第二导电互连结构之间的铁电结构的集成芯片。第一导电互连结构位于衬底上面。第二导电互连结构位于第一导电互连结构上面。第二导电互连结构包括直接位于导电通孔段上面的导线段。铁电结构沿导线段的相...

本公开提供的半导体结构，包括沿着第一方向纵向延伸的第一基底部分以及第二基底部分；设置于第一基底部分上方的第一源极/漏极特征；设置于第二基底部分上方的第二源极/漏极特征；沿着垂直于第一方向的第二方向夹设于第一源极/漏极特征与第二源极/漏极...

本申请的实施例提供了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括：形成包括光子集成电路管芯的光学引擎，其中光子集成电路管芯包括光学组件，形成包括激光写入波导的适配器，以及将光学引擎、适配器和光纤组装为封装件。光纤通过适配器中的激光写入波导光...

一种制造光子系统的方法包括将第一光子封装件连接至衬底，其中第一光子封装件包括第一波导和位于第一波导上方的第一支撑件；相邻于第一光子封装件将第二光子封装件连接至相邻的衬底，其中，第二光子封装件包括第二波导，其中，第一光子封装件和第二光子封...

一种半导体装置，包括栅极结构，形成在鳍片上方，其中鳍片包括相邻栅极结构的源极/漏极区。半导体装置还包括源极/漏极部件，设置在源极/漏极区之中。半导体装置还包括侧壁间隔物部分，设置在源极/漏极区之中以及在源极/漏极部件的相对侧上，其中侧壁...