本技术实施例涉及一种半导体结构，其特征在于其包括：晶体管结构；互连结构，其耦合到所述晶体管结构，所述互连结构包括石墨烯复合金属线；层间电介质层，其位于所述石墨烯复合金属线上；及石墨烯复合通路，其位于所述层间电介质层中，耦合到所述石墨烯复...

一种重分配结构、导电结构及装置封装，重分配结构包含：一第一聚合物层，设置于一硅基板上方；一第一接触窗口，设置于该第一聚合物层中；一第二聚合物层，设置于该第一接触窗口上方；一第一重分配层，包含设置于该第二聚合物层上的一第一导电焊垫及延伸穿...

一种集成电路(integrated circuit；IC)包含电荷储存装置。电荷储存装置包含延伸至基材中的第一电荷储存堆叠，及延伸至基材中并沿第一方向相邻于第一电荷储存堆叠的第二电荷储存堆叠。第一电荷储存堆叠与第二电荷储存堆叠沿垂直于第...

提供一种半导体封装及其制造方法。所述半导体封装包括管芯、底部填充层、图案化介电层及多个导电端子。管芯具有前表面及与前表面相对的后表面。底部填充层对管芯进行包封，其中底部填充层的表面与管芯的后表面实质上彼此共面。图案化介电层设置于管芯的后...

本技术的各种实施例涉及封装件结构，其包括由包封体横向封装的半导体芯粒、重布线结构和凸块。重布线结构设置在半导体芯粒和包封体上，且电性连接至至少一个半导体芯粒。凸块设置在重布线结构上。重布线结构包括介电层和夹在介电层之间的金属图案层。重布...

本技术提供一种半导体装置。半导体装置包括内连结构。内连结构设置于半导体衬底之上。内连结构包括多个内连层。第一薄膜晶体管(TFT)及第二TFT设置于半导体衬底之上。第一TFT及第二TFT各自垂直地延伸穿过内连层的至少一子集。开口形成于内连...

一种半导体装置，包括第一存储器裸片，包括电性耦接到第一字元线的第一存储器单元、电性耦接到第一字元线的第二存储器单元以及电性耦接到第一字元线的第一内连线结构。半导体装置包括电路裸片，电路裸片包括第二内连线结构，第一内连线结构的第一导电特征...

本公开提供一种半导体装置，包括半导体鳍片、多个栅极间隔物、金属栅极结构和栅极电极；多个栅极间隔物在所述半导体鳍片上方；金属栅极结构在所述半导体鳍片上方且夹设于所述栅极间隔物之间；栅极电极设置在所述金属栅极结构之上且与所述金属栅极结构电性...

本公开实施例一种天线装置。天线装置包括一第一集成电路裸晶、一再分布结构、一振荡区域以及一半导体基板。第一集成电路裸晶对应于一发送及/或接收裸晶。再分布结构耦接到第一集成电路裸晶，再分布结构包括耦接到第一集成电路裸晶的一第一嵌入式天线。振...

本公开涉及一种半导体结构。提供了一种位于介电材料内的导电结构。例示的结构包括：位于基板之上的介电材料；以及位于介电材料中的导电结构，其中导电结构具有在基板上第一高度的角落相接的底表面以及侧表面，其中底表面在基板上大于第一高度的第二高度处...

一种集成电路，包括：第一标准单元，整合有第一pFET以及第一nFET；第一栅极、第二栅极，以及第三栅极，沿着第一方向纵向地定向，并且配置于第一标准单元中；位在第一栅极上的第一栅极接点，在第一栅极两个相对的边缘上与两个S/D接点相邻；位在...

一种方法包括构建与一组参考设计方案相关联的一组参考设计内容。所述方法亦包括确定使用者设计内容与取自所述一组参考设计内容的一参考设计内容之间的内容相似度。所述方法更包括：作为所述内容相似度达到预先确定的临限值的结果，执行由与所述参考设计内...

在一些实施例中，本公开涉及形成图像传感器的方法和相关器件结构。本发明的实施例提供了形成图像传感器的方法，包括从衬底的前侧在第一像素区域和第二像素区之间形成FDTI沟槽，以及填充FDTI沟槽以形成FDTI结构。在FDTI结构上方和在衬底的...

提供了用于时钟生成电路的电路和方法，所述时钟生成电路包括第一晶体管、第二晶体管和驱动电路，所述第一晶体管的栅极连接到时钟信号，所述第二晶体管并联连接到所述第一晶体管，所述驱动电路耦合到所述第二晶体管并且包括输入和输出，其中，所述驱动电路...

本技术提供半导体结构。半导体结构包含下接触部件，位于介电层中；金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置于介电层的上方且包含导体板的垂直堆叠；第一钝化结构，设置于金属‑绝缘体‑金属电容器的上方；导电部件，与下接触部件电性耦合，其中导电部件...

本公开的各个实施例针对包括设置在衬底上方的多个超晶格层的半导体器件。多个超晶格层包括置于第二超晶格层上方的第一超晶格层。沟道层置于多个超晶格层上方。有源层置于沟道层上方。第一层间缓冲层直接设置在第一超晶格层和第二超晶格层之间。第一层间缓...

本公开涉及用于形成具有增加的接触尺寸的自对准源极/漏极接触件、同时保持源极/漏极接触件与栅极电极之间的可靠性裕度的方法。根据本公开的半导体器件具有在源极/漏极接触件处接触着落Rc的降低以及器件性能的提高。根据本公开形成的源极/漏极接触件...

本揭露关于一种光阻的形成方法、光阻溶液以及图案化光阻的形成方法。光阻溶液包含金属光阻剂，其中金属光阻剂可包含金属核心基以及一或多个配位基，其中一或多个配位基的每一者为饱和的，且实质包含1至8个碳原子及至少2个氮原子。另一种方式，交联剂可...

本揭露提供半导体装置及其制造方法。将腔室抽真空至压力低于约1Torr。加热腔室至温度超过约400℃。通入前驱物至腔室中。以第一电浆分解前驱物。基于被分解的前驱物，沉积第一层在半导体装置的表面上。致密化前驱物，以形成第一栅极间隙壁。通入前...

一种半导体装置及集成电路，装置包含第一供应电压轨、第二供应电压轨、第一参考电压轨、第一标准单元以及第二标准单元。第一供应电压轨用以供给第一电压。第二供应电压轨用以供给第二电压，其中第二电压高于第一电压。第一标准单元电性连接第一供应电压轨...