一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧...

本技术的各种实施例涉及一种集成芯片。源极/漏极由与介电层交错的水平导电层提供。每个垂直列中的FeFETs的沟道由例如是半导体的垂直长条的连续半导体层提供。另一个垂直长条可能提供垂直列中的FeFETs的铁电体层。栅极由并联连接栅极的控制栅...

本技术实施例的各种实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有一个或多个内部表面的衬底，一个或多个内部表面在衬底的上表面内形成凹陷。源极/漏极区设置在衬底中，在凹陷的相对侧上。第一栅极介电质沿一个或多个内部表面形成的凹陷配置，第二栅极介电质配置...

一种半导体装置包括:一栅极堆叠，位于一半导体基板上方；一金属帽，位于该栅极堆叠上方；及一介电帽，位于该金属帽上方，其中该金属帽具有沿着该介电帽的一侧壁延伸的一侧壁部分。

用于在堆叠配置中形成互补FinFET(CFET)的方法包括：在堆叠鳍中形成凹槽；在凹槽中生长第一外延结构；蚀刻第一外延结构以去除第一外延结构的部分；在第一外延结构上方形成第一隔离结构；以及在第一隔离结构上方形成第二外延结构。在另一方法中...

一种集成电路(IC)器件包括存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器单元，第一字线，位于所述存储器阵列上方并且电耦接到所述多个存储器单元之中的至少一个第一存储器单元，以及第二字线，位于所述存储器阵列下方并且电耦接到所述多个存储器单元之中的至...

揭示一种半导体装置。在一个态样中，半导体装置包括连接至位元线的记忆体单元及用以输出第一偏电压及第二偏电压的偏压电路，第一偏电压基于p型晶体管的临限电压产生，而第二偏电压基于n型晶体管的临限电压产生。半导体装置包括连接至位元线并用以接收第...

在半导体沟道区域上方形成偶极层。在偶极层上方形成掺杂的栅极介电层。掺杂的栅极介电层包含非晶材料。通过退火工艺，掺杂的栅极介电层的非晶材料转化为具有至少部分晶相的材料。在掺杂的栅极介电层转化为具有部分晶相的层之后，在掺杂的栅极介电层上方形...

本文的实施例公开了用于堆叠器件结构的器件的偶极工程技术。用于形成晶体管堆叠件的晶体管(例如，顶部晶体管)的栅极堆叠件的示例性方法包括：形成高k介电层；在高k介电层上方形成p‑偶极掺杂剂源层；实施热驱入工艺，热驱入工艺将p‑偶极掺杂剂从p...

本技术提供一种包括具有倾斜侧壁的集成电路管芯的集成电路封装。集成电路封装可包括：第一集成电路管芯；第一间隙填充介电层，围绕第一集成电路管芯；第二集成电路管芯，位于第一集成电路管芯下方；以及第二间隙填充介电层，围绕第二集成电路管芯。第一集...

一种半导体器件，包括第一上部沟道结构、在第一上部沟道结构下方的第一中间结构、在第一中间结构下方的第一下部沟道结构以及连接到第一下部沟道结构的电压源，其中，第一下部沟道结构包括第一垂直组件，第一垂直组件提供电压源与第一上部沟道结构之间的电...

本技术提供一种包括延伸通孔的集成芯片及半导体结构，所述延伸通孔跨越导线和通孔的组合高度且具有比导线更小的占地面积。延伸通孔可以在尺寸和导线的间隔达到下限的位置取代线和相邻的通孔。由于延伸通孔比线占用空间更小，因此用延伸通孔取代导线和相邻...

一种存储器宏包括：输入/输出(I/O)电路，位于半导体晶圆中，存储器单元列，包括在半导体晶圆中远离I/O电路延伸的连续存储器单元的第一子集和第二子集，其中第一子集定位于I/O电路和第二子集之间，第一位线，耦接到I/O电路，并且沿着第一子...

本技术实施例提供一种封装体装置。封装体装置包括：集成电路管芯，附接至衬底；盖体，附接至集成电路管芯；密封剂，位于盖体上；间隔件结构，相邻于集成电路管芯而附接至衬底；以及冷却盖，附接至间隔件结构，其中冷却盖在盖体之上延伸，其中冷却盖藉由密...

一种半导体封装件，包括多个半导体芯片。半导体封装件件包括重分布结构。重分布结构可以被配置为将多个半导体芯片彼此电耦合，并且还被配置为传输单个全局时钟信号。跨多个半导体芯片传输的数据可以在单个全局时钟信号所属的时钟域中同步。本申请的实施例...

一种半导体元件，包含第一鳍片以及第一介电结构。第一鳍片于半导体基材上方。第一介电结构于半导体基材上方并相邻于第一鳍片，其中第一介电结构具有带锥角的凸形轮廓，锥角在35度至50度的范围内，第一介电结构具有随着第一介电结构远离半导体基材延伸...

器件包括：纳米结构的第一堆叠件，形成在衬底上方；纳米结构的第二堆叠件，形成为与第一堆叠件相邻；第一栅极结构，位于第一堆叠件的纳米结构上；第二栅极结构，位于第二堆叠件的纳米结构上；第一绝缘壁，将第一栅极结构和第二栅极结构分隔开；硬掩模层，...

一种半导体器件，包括衬底、电网结构和穿透衬底的贯通孔。电网结构包括：沿着第一方向延伸的第一轨道和第二轨道、导线、第三轨道、导电通孔和连接构件。导线位于第一轨道和第二轨道之间，并且沿着第一方向延伸。第三轨道在第一轨道、第二轨道和导线下方，...

一种存储器单元，包括第一、第二、第三和第四晶体管、第一和第二反相器以及第一和第二字线。第一反相器耦合到第一和第三晶体管。第二反相器耦合到第一反相器以及第一和第三晶体管。第一字线被配置为提供第一字线信号，位于衬底前侧上方的第一金属层上，并...

在实施例中，半导体器件包括：第一半导体纳米结构；与第一半导体纳米结构相邻的第二半导体纳米结构；位于第一半导体纳米结构的第一侧壁上的第一源极/漏极区域；位于第二半导体纳米结构的第二侧壁上的第二源极/漏极区域，第二源极/漏极区域与第一源极/...