在一个实施例中，一种半导体封装包括：第一封装组件，贴合到封装基底，所述第一封装组件包括：第一管芯，设置在所述封装基底之上；以及第二管芯，设置在所述封装基底之上，所述第一管芯和所述第二管芯的相对第一侧壁由间隙区间隔开；热界面材料，贴合到所...

本技术实施例涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包含：裸片，其具有前侧及背侧；第一重布层RDL结构，其放置于所述裸片的所述背侧上；第二RDL结构，其放置于所述裸片的所述前侧上并电连接到所述裸片的所述前侧；贯穿集成式扇出通路TIV，...

一种半导体装置，包括多个导电连接器、多个导电柱、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一第三半导体装置。多个导电连接器嵌入于一中介层上的一介电层中，多个导电柱直接与多个导电连接器的一第一子集物理接触，一第一半导体装置直接与多个导电连接器...

本技术提供一种内存装置，包括：栅极电极，设置于绝缘材料层中；铁电介电层，设置于栅极电极之上；金属氧化物半导体层，设置于铁电介电层之上；源极特征，设置于金属氧化物半导体层之上，其中源极特征具有第一尺寸；以及源极延伸部。源极延伸部包括第一部...

本技术的实施例提供一种封装件，其包括在晶片之上并接合到所述晶片的第一管芯、延伸穿过晶片的一部分的衬底通孔及在晶片的背侧上的重布线结构。第一管芯的第一介电层直接接合到晶片的第二介电层，其中第一管芯包括底部部分及侧向地延伸超过第一管芯的底部...

一种半导体装置包含设置在半导体基材的第一主表面上的场效晶体管、设置在半导体基材相对的第二主表面上的分散式布拉格反射器及设置在分散式布拉格反射器中的导电贯孔。场效晶体管包含栅极结构及源极/漏极区域。导电贯孔穿透半导体基材，并与源极/漏极区...

一种半导体装置在基材上包含二种不同类型的半导体结构。半导体装置包含具有第一类型的第一半导体结构、具有第二类型的第二半导体结构、阻障结构、第二金属层及第三金属层。阻障结构设置于第一半导体结构与第二半导体结构间，且阻障结构包含第一金属层，第...

一种多栅极装置包括多个栅极结构在一半导体基板上方，其中所述多个栅极结构包含一长通道栅极结构及一短通道栅极结构。该长通道栅极结构具有一第一深度的一深沟槽，且该短通道栅极结构具有小于该第一深度的一第二深度的一浅沟槽。

一种晶体管，包含：基板；第一鳍片与第二鳍片自基板的顶部表面向上凸出，其中第一鳍片与第二鳍片为同心，且第一鳍片与第二鳍片中的每一者包含第一直线段、与第一直线段平行的第二直线段、第一弯曲段和第二弯曲段；第一漏极和第二漏极；第一源极和第二源极...

半导体装置包括在基板的正面上的第一源极/漏极特征。半导体装置包括在第一源极/漏极特征下方并且沿着第一方向纵向延伸的第一背面金属线。半导体装置包括设置在第一源极/漏极特征和第一背面金属线之间的第一背面通孔。第一背面金属线是第一静态随机存取...

一种半导体装置结构，包含源极/漏极外延部件，设置于基底上方，其中源极/漏极外延部件包括:第一外延层；第二外延层，接触第一外延层，其中第二外延层具有第一掺杂物浓度；及第三外延层，具有被第二外延层包围的侧壁，其中第三外延层具有大于第一掺杂物...

本揭露关于一种半导体装置及栅极结构的形成方法。此形成方法包含：形成栅极结构的界面层及高k值介电层；形成N型金属层于高k值介电层上；形成硬覆盖层于N型金属层上，同时通过氟钝化强化高k值介电层；图案化在硬覆盖层上的光阻材料，以于P型晶体管上...

在制造凸块或柱的方法中，在衬底上方形成凸块下导电层，在凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层，在第一开口和第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块，去除第一光刻胶层，在第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光...

一种用于在晶体管周围形成垂直栅极的方法，包括在下源极/漏极区上形成半导体层的堆叠。半导体层的堆叠包括第一层、在第一层上的第二层和在第二层上的三层。第一层和第三层具有基本相同的组成，并且相对于第二层是可选择性蚀刻的。第一层和第二层可以被选...

本技术提供一种半导体封装，包括具有第一基底及位于第一基底上的第一接触接垫的第一半导体元件、位于第一基底上且延伸至第一基底中的第一热传导特征、位于第一基底之上的第二半导体元件、位于第一半导体元件之上且位于第二半导体元件旁的第一热传导桥及位...

加热器材料层在衬底之上。在将衬底和加热器材料层放置在工艺腔中的同时执行反应性溅射反应性溅射工艺。经溅射的多个铝原子和多个反应性含氮分子在工艺腔内部发生反应，以在加热器材料层上形成连续的非均质的铝氮化物层。形成连续的非均质的铝氮化物层，使...

本发明的实施例提供了一种触发器，包括第一输入电路、第一NOR逻辑门、堆叠栅极电路、第一NAND逻辑门和输出电路。第一输入电路至少响应于第一数据信号、第一或第二时钟信号产生第一信号。第一NOR逻辑门连接在第一节点和第二节点之间，并且响应于...

本申请的实施例提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路(IC)器件，包括天线效应保护器件和待保护器件。天线效应保护器件的第一源极/漏极电耦合到被配置为承载参考电压的第一导体。天线效应保护器件的第二源极/漏极通过第二导体电耦合到待保护器件...

本技术提供一种内存装置。在一个实施例中，内存装置包括包含一组记忆胞的记忆阵列。在一个实施例中，记忆胞中的每一者包括串联连接于位线与选择线之间的对应的晶体管与对应的电容器。在一个实施例中，内存装置包括第一晶体管，第一晶体管包括耦合至控制器...

本技术实施例涉及一种垂直光子光栅滤波器。所述滤波器包括第一波导、第二波导及多个布拉格光栅。所述布拉格光栅形成于所述第一波导与所述第二波导之间的电介质层中，且位于所述第一波导与所述第二波导之间的垂直重叠区域中。每一布拉格光栅具有不同光栅周...