本技术实施例是有关于一种具有混合鳍‑介电质区的半导体装置。所述半导体装置包括衬底以及藉由混合鳍‑介电质(HFD)区而在侧向上分隔开的源极区与漏极区。栅电极设置于混合鳍‑介电质区上方，且混合鳍‑介电质区包括被介电质覆盖且藉由介电质而与源极...

本技术实施例提供一种半导体装置。所述装置包括后侧深沟渠隔离结构，所述后侧深沟渠隔离结构包括延伸穿过多个层的隔离区以及对所述隔离区进行填充的金属结构。所述装置包括偏置接垫结构。所述装置包括对所述金属结构与所述偏置接垫结构进行电性连接的栅格...

本技术提供一种半导体封装。所述半导体封装包括封装、重布线路结构、第一模块及第二模块以及附加块，所述封装具有由包封体包封的管芯。重布线路结构设置于封装上。第一模块及第二模块设置于重布线路结构上且通过设置于第一模块及第二模块与重布线路结构之...

本揭露提供一种高架运输系统包括：滑道模块以及轨道总成。滑道模块被配置成安装至天花板。轨道总成包括沿第一方向延伸的至少一个轨道。滑道模块包括第一宽度且轨道总成包括第二宽度。第一宽度大于第二宽度。滑道模块包括沿垂直于第一方向的第二方向的多个...

本公开涉及用于纳米片保护的电介质层及其形成方法。一个器件包括栅极堆叠和堆叠结构，栅极堆叠具有顶部，堆叠结构位于栅极堆叠的顶部的下方。堆叠结构包括多个半导体纳米结构，多个半导体纳米结构中的上部纳米结构与相应的下部纳米结构重叠。堆叠结构还包...

提供一种框架卡匣及盖盒。框架卡匣包含：外壳；以及设置于外壳中的多个盖盒。多个盖盒的每一者包含：底部；平行于底部的顶部；以及至少一个侧壁，侧壁沿垂直方向延伸于底部与顶部之间，并连接底部与顶部，以具有封闭空间。

本发明提供一种集成电路包括字线数组及被配置成自字线数组接收选择信号的存储单元数组。存储单元数组中的每一存储单元连接至一组数据线中的一或多条数据线。所述集成电路亦包括读取写入驱动器，读取写入驱动器连接至所述一组数据线且被配置成接收翻转再新...

本揭露揭示一种光阻剂溶液、使用光阻剂溶液的方法及改良光阻剂效能的方法，尤其是用于减小使一金属光阻剂显影需要的辐射剂量的方法及材料。在显影期间，该金属光阻剂曝露至一添加剂，该添加剂包含(i)具有一或多个取代基的一个芳族基，该一或多个取代基...

干燥装置包括真空腔体、柱状侧壁、马达、多个磁性元件以及泵。柱状侧壁位于真空腔体内。马达位于真空腔体下方。多个磁性元件安装在马达上，其中从上视图来看，多个磁性元件位于柱状侧壁的周围。泵与真空腔体气体连通。

本揭露实施例提供包括使用焊料的半导体组件及其制造方法。在实施例中，焊料使用第一抗张加强材料、第二抗张加强材料以及共晶调整材料。藉由使用此些材料，所形成且经使用的焊料可具有较少的针状结晶。若非使用此些材料，可能在放置与使用焊料的期间产生针...

本技术涉及测量马赫‑曾德尔调制器行进波的光电特性的装置，其包含测量测试结构的例如S21的光电参数，测试结构包含测试TWMZM及经连接以传送射频(RF)信号来光电调制行进通过测试TWMZM的光的电垫的第一例子。类似地测量参考结构的光电参数...

本公开提供一种半导体装置的制造方法，该方法包含在基板上的下层目标层之上形成图案化硬遮罩；以及在等离子体蚀刻室中使用等离子体蚀刻气体及选择性来源气体在图案化的硬遮罩及下层目标层上并行地进行等离子体制造操作。等离子体制造操作包含在图案化的硬...

本发明的实施例涉及一种对EFEM自动重新编程以解决EFEM机器人的位置变化的方法。在一些实施例中，通过确定EFEM室内的EFEM机器人的初始位置来实施该方法。初始位置处的EFEM机器人沿着第一多个步进进行移动，其中，第一多个步进相对于初...

电阻式存储器器件包括设置在底部电极和到达存储器器件的底部电接触件之间的超薄阻挡层。超薄阻挡层可以将电阻式存储器元件的总台阶高度降低15％或更多，包括高达约20％或更多。超薄阻挡层的使用可另外将部分位于存储器元件下方并在存储器元件之间延伸...

一种半导体装置及记忆体装置，半导体装置包含排列在一基材上的多个铁电记忆体单元。铁电记忆体单元的每一者包含：沿着第一侧向方向延伸且具有中心部分及一对侧部部分的第一导电结构，侧部部分分别自中心部分沿着垂直于第一侧向方向的第二侧向方向向外延伸...

本揭露论述了半导体装置的制造方法。在一实施例中，一种制造一半导体装置的方法包括：在一基板之上由一第一材料形成多个第一纳米结构；在该基板之上由不同于该第一材料的一第二材料形成多个第二纳米结构，其中所述多个第一纳米结构及所述多个第二纳米结构...

本技术实施例涉及一种后驱动器结构及用于后驱动器的校准电路系统。在一个实施例中，一种后驱动器结构包含：驱动单元，其包含上拉驱动器及下拉驱动器；垫，其经连接到外部电阻；及输出节点，其经连接于所述上拉驱动器与所述下拉驱动器之间，所述输出节点经...

本技术实施例涉及工具排气系统。工具排气系统包括：第一气体洗涤器，所述第一气体洗涤器包含：入口，其在操作中接收来自半导体处理工具的排气；杂质洗涤单元，其包含填充材料区段及施配器区段，所述杂质洗涤单元在操作中将洗涤流体从所述施配器区段施配到...

提供一种半导体元件结构。结构包含内连接结构、第一导电特征、介电层及第二导电特征，其中内连接结构是设置于基材上，第一导电特征是设置于内连接结构中，介电层是设置于内连接结构上，且第二导电特征具有顶部分及底部分。顶部分是设置于介电层上，且底部...

本技术实施例涉及具有石墨烯‑金属混合式互连件的集成电路。石墨烯的材料性质可用于提高集成电路中互连件的性能。避开涉及将石墨烯沉积到铜表面上的挑战的一种方式是将石墨烯并入到块状金属层中以产生混合式金属/石墨烯互连结构。可产生此混合式结构替代...