本技术实施例提供一种存储单元结构及动态随机存取存储单元结构。无电容器动态随机存取存储器(DRAM)单元可包括多个晶体管。晶体管中的至少一个子集可包括近似地类似于经倒置U形状、欧姆符号(ohm，Ω)形状或大写字母的/大写亚米茄(omega...

一种半导体封装包括：第一晶圆，包括位于第一半导体衬底上的第一内连结构；多个第一半导体装置，直接接合至第一内连结构，其中每一第一半导体装置包括穿孔；包封体，环绕每一第一半导体装置；第一接合层，在包封体及第一半导体装置之上延伸；多个第一焊盘...

本技术提供一种半导体装置，包括集成电路结构及位于集成电路结构之上的散热柱。集成电路结构包括：半导体衬底，包括电路系统；介电层，位于半导体衬底之上；内连线结构，位于介电层之上；以及第一散热鳍片，延伸穿过半导体衬底、介电层及内连线结构。第一...

本技术的实施例提供一种光耦合器及光子集成电路，光耦合器包含：多个波导核心层，其：彼此垂直叠置；彼此垂直间隔开；及从所述光耦合器的光接收端纵向延伸穿过所述光耦合器到所述光耦合器的光输出端，其中所述多个波导核心层中的每一者包含从所述光耦合器...

本发明提供一种方法，所述方法包括：在第一衬底之上形成第一互连线结构，第一互连线结构中包括介电层及金属化图案，金属化图案包括包括顶部金属结构的顶部金属层；在第一互连线结构的顶部金属结构之上形成钝化层；形成穿过钝化层的第一开口；在第一开口中...

本公开实施例提供了半导体器件中的叉片结构及其制造方法。根据本公开实施例的叉片结构包括设置在栅极结构内部的两个沟道区域之间并且不穿过侧壁间隔件延伸至源极/漏极区域的介电壁。在一些实施例中，切割金属栅极(CMG)介电结构与介电壁一起形成在栅...

提供了具有堆叠的半导体管芯的封装结构及其形成方法，该堆叠的半导体管芯具有波浪形侧壁。封装结构包括：接合在一起的第一管芯和第二管芯；横向密封所述第一管芯的第一密封剂；以及横向密封所述第二管芯的第二密封剂，其中，在横截面中，与所述第二密封剂...

本申请的实施例提供了一种集成电路及其制造方法。集成电路包括由宽的一型晶体管和宽的二型晶体管构成的第一反相器、第一传输门和第二反相器。集成电路还包括由窄的一型晶体管和窄的二型晶体管构成的第一时钟反相器和第二时钟反相器。主锁存器由第一反相器...

本揭示文件的一实施例提供一种电压供应电路及转换多个电压电平的方法。电压供应电路包含第一、第二NMOS晶体管、第一、第二PMOS晶体管及电压调变电路。第一NMOS晶体管以第一控制信号及接地电压为栅极及源极。第二NMOS晶体管以与第一控制信...

描述一种基板的制造方法。一种制造工艺以在为磊晶层形成作准备中评估并选择多个原始半导体晶圆。该制造工艺首先产生一单一晶体铸块，在该操作期间，紧密地控制一晶种拉动速率及温度梯度。该所得铸块为富空位的但具有相对少的自填隙缺陷。多个所选择晶圆可...

本技术提供一种半导体结构，包括位于第二介电层之上且位于第一介电层的侧壁之间的半导体波导层。第一包覆层位于第一介电层的侧壁之间并且直接位于半导体波导层之上。第二包覆层位于第二介电层的侧壁之间并且直接位于半导体波导层之下。半导体波导层的折射...

本技术提供一种具有改善的散热效率的封装。所述封装包括：半导体装置；包封体，在侧向上环绕半导体装置；以及散热结构，设置于半导体装置及包封体之上，其中散热结构包括多个柱及在所述多个柱的侧壁之上延伸的多孔层。

在本揭示的一些态样中，揭示了一种电力侦测系统。在一些态样中，电力侦测系统包括接收电力供应电压的固定转导(transconductance，gm)参考产生器电路。在一些实施例中，固定转导参考产生器电路包括用于提供第一参考电压的第一电流镜及...

本发明的各个实施例涉及包括具有简化制造工艺的光电探测器的传感器器件。用于光电探测器的半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底包括雪崩区域，在雪崩区域处，p型区域和n型区域形成PN结。内部吸收层凹入到半导体衬底中，其中，内部吸收层具有朝向雪崩...

一种方法包括：确定集成电路(IC)设计的第一路径上的信号的转变序列的第一定时，所述第一定时是基于IC设计签出电压；确定第一路径上的信号的转变序列的第二定时，所述第二定时是基于所述签出电压以及沿着第一路径的第一电压降；基于转变序列的第一定...

本技术提供一种图像传感器器件。图像传感器器件包括排列于器件衬底内的多个图像感测元件。图像传感器器件还包括隔离栅格结构，隔离栅格结构延伸到器件衬底中并且由围绕所述多个图像感测元件的外周边的多个隔离栅格段组成。隔离栅格结构包括钝化衬垫和与钝...

本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆...

提供一种集成电路，其包括纳米结构晶体管，纳米结构晶体管包括基底上方的多个第一半导体纳米结构及与每个第一半导体纳米结构接触的源极/漏极区。集成电路包括对源极/漏极区的下部横向连接的鳍状物侧壁间隔物。集成电路亦包括底部隔离结构而将源极/漏极...

本技术提供一种集成电路封装结构，包括：第一重布线结构；绝缘材料，位于第一重布线结构之上；晶粒，嵌置于绝缘材料中；第二重布线结构，位于晶粒及绝缘材料之上；以及第一通孔，延伸穿过绝缘材料，其中第一通孔包括第一内导电芯及第一外导电屏蔽层，其中...

一种半导体结构，本公开描述了一种设置于半导体基板中的内埋导电结构及其形成方法。结构包含外延区，设置于基板上且相邻于纳米结构栅极层及纳米结构通道层；第一硅化物层，设置于外延区的顶部之内；以及第一导电结构，设置于第一硅化物层的顶表面上。结构...