存储单元结构及动态随机存取存储单元结构制造技术

本技术实施例提供一种存储单元结构及动态随机存取存储单元结构。无电容器动态随机存取存储器(DRAM)单元可包括多个晶体管。晶体管中的至少一个子集可包括近似地类似于经倒置U形状、欧姆符号(ohm，Ω)形状或大写字母的/大写亚米茄(omega，Ω)形状的沟道层。沟道层的特定形状为晶体管的子集提供增大的沟道长度，此可减小关断电流且可减小晶体管的子集中的电流泄漏。减小的关断电流及减小的电流泄漏可增加晶体管的子集中的数据保持力及/或可增加晶体管的子集的可靠性，而不增大晶体管的子集的覆盖区。此外，沟道层的特定形状使得能够利用顶部栅极结构形成晶体管的子集，此会提供与无电容器DRAM单元中的其他晶体管的低集成复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例是有关于一种存储单元结构及动态随机存取存储单元结构。

技术介绍

1、存储器装置被广泛用于各种应用中。存储器装置由多个存储单元构成，所述多个存储单元通常被布置成多个列及多个行的阵列。一种类型的存储单元包括动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)单元。在一些应用中，由于相对于例如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)单元或另一种类型的存储单元而言，dram单元的成本更低、面积更小且能够保存更大量的数据，因此可选择基于dram单元的存储器装置，而非基于其它类型的存储单元的存储器装置。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种存储单元结构，包括：第一晶体管，与字线导电结构及位线导电结构耦合；第二晶体管，位于所述第一晶体管上方且与所述第一晶体管耦合并且耦合至接地导电结构；以及第三晶体管，位于所述第二晶体管上方且与所述第二晶体管、写入字线导电结构及写入位线导电结构耦合，其中所述第二晶体管或所述第三晶体管中的至少一者包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述经倒置近似U形部分包括：

3.根据权利要求2所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述多个延伸部分包括：

4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述第一晶体管包括：

5.根据权利要求4所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述第一晶体管包括：

6.一种动态随机存取存储单元结构，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储单元结构，其特征在于，其中所述字线导电结构是位于所述第一晶体管下方的读取...

【技术特征摘要】

1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述经倒置近似u形部分包括：

3.根据权利要求2所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述多个延伸部分包括：

4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述第一晶体管包括：

5.根据权利要求4所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述第一晶体管包括：

6.一种动态随机存取存储单元结构，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的动态随机存取...

【专利技术属性】
技术研发人员：高韵峯，凌嘉佑，姜慧如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：