半导体结构与组装，可包括中介层，其包含多个中介层上凸块结构；至少一半导体晶粒，经由多个第一焊料材料部分接合至第一组的中介层上凸块结构；至少一间隔物晶粒，经由多个第二焊料材料部分接合至第二组的中介层上凸块结构；以及成型化合物晶粒框，横向围...

提供一种集成电路且该集成电路包括：一第一导电型的一第一主动区域，该第一主动区域耦接至一第一电压端子且对应于包括在一位准移位器电路的一反相器中的一第一晶体管的一第一端子及一第二晶体管的一第一端子，其中该第一晶体管用以使静电电荷放电至该第一...

一种操作一记忆体单元的方法包括以下步骤。使用一第一电压对该记忆体单元执行第一多个偏压操作，其中该记忆体单元包含一可变电阻图案，且所述第一多个偏压操作的每一循环的该第一电压具有一相同的第一极性。判定该记忆体单元是否到达一疲劳临限值。在该判...

一种封装结构以及半导体结构，封装结构包含硅中介层、晶片、及基材。硅中介层包含在硅中介层的第一侧上的第一连接器及在硅中介层的与硅中介层的第一侧相对的第二侧上的第二连接器。晶片从硅中介层的第一侧接合至硅中介层，其中晶片包含连接至硅中介层的第...

集成电路结构包括第一区块，包括多个第一单元，第一单元中的每一者具有第一单元高度；及第二区块，包括多个第二单元，第二单元中的每一者具有第二单元高度。第一区块以等于零或小于第一或第二单元高度中的任一者的间距设置在第二区块旁边。

一种半导体装置，包括一栅极结构在一半导体基底的上方，此栅极结构包括一低介电常数的介电层、一高介电常数的介电层、一p型功函数金属层、一n型功函数金属层、具有氧化硅的一硅帽盖层及一黏合层；半导体装置还包括一连续的钨帽盖在栅极结构的上方，其通...

一种可调适存储器内运算电路，包括一个数据缓冲器，配置为依序地输出第一与第二位元，一个具有总数的存储器巨集，以及连接在数据缓冲器和存储器巨集之间的分布网络。分布网络将这些第一位元分割为总数个第一子集，并将每一个第一子集输出至相对应的一存储...

本技术实施例涉及光耦合器及光子装置。根据本技术的一些实施例，一种光耦合器包含：多个波导核心层，其由具有第一折射率的波导核心材料形成，所述波导核心层(i)以彼此叠置的关系布置，(ii)彼此隔开，且(iii)从所述光耦合器的光接收端纵向穿过...

一种半导体结构，包括位于第一介电层中的第一下接触特征、位于第一介电层上的蚀刻停止层、形成于蚀刻停止层之上的金属绝缘体金属(MIM)电容器、形成于金属绝缘体金属电容器之上的第二介电层、延伸穿过第二介电层及金属绝缘体金属电容器并与第一下接触...

本新型涉及一种半导体装置。用于协同优化各种装置类型的结构包括第一装置类型、第二装置类型以及第三装置类型。第一装置类型设置在第一基板区域内且包括第一源/漏极部件。第二装置类型设置在第二基板区域内且包括第二源/漏极部件。第三装置类型设置在第...

本公开实施例提供一种半导体装置及晶片级结构。在半导体装置中，第一裸片包括多个第一晶体管，第一密封环在俯视图中围绕第一裸片，第二裸片包括多个第二电裸片，第二密封环在俯视图中围绕第二裸片，多个导电元件在俯视图中延伸到第一裸片和第二裸片中，导...

公开了一种半导体装置，包括：基板，具有沿基板上方的Z方向突出的多个鳍片结构，及设置在些鳍片结构中的至少两个鳍片结构之间的非导电的混合鳍片结构(non‑conductive hybrid fin structure)；浅沟槽隔离(STI)...

提供一种电阻式随机存取记忆体装置及其制造方法。电阻式随机存取记忆体(resistive random access memory；RRAM)装置包含：设置于第一介电层中的底电极通孔；电性连接至底电极通孔且在垂直方向中从底电极通孔向上突伸...

揭示了一种制造半导体装置的方法包括形成第一鳍部结构和第二鳍部结构，其中隔离区域位在第一鳍部结构和第二鳍部结构之间，且其中间隙位在第一鳍部结构和第二鳍部结构之间，且在隔离区域上方；沉积阻挡层在第一鳍部结构、隔离区域和第二鳍部结构上方，其中...

在实施例中，集成电路器件包括：底部集成电路管芯，具有第一前侧和第一背侧；顶部集成电路管芯，具有第二前侧和第二背侧，该第二背侧接合至第一前侧，该顶部集成电路管芯没有衬底通孔(TSV)；围绕顶部集成电路管芯的介电层，该介电层设置在第一前侧上...

本公开关于一种半导体装置和其制造方法。制造半导体装置方法包括形成相互平行且涂覆着共形牺牲层的三维导电通道，涂覆着共形牺牲层的三维导电通道形成在半导体基板上；沉积介电材料以填充涂覆着共形牺牲层的三维导电通道之间的空隙，其中所沉积的一部分或...

本揭露提供一种系统、扫描正反器装置以及产生预定义输入或输出的方法。系统包括多个正反器装置及第一预设组合逻辑电路。多个正反器装置串联耦接在一起且经配置以接收扫描输入信号，基于扫描输入信号而捕获自多个正反器装置中的各正反器装置输出的数据，且...

一种装置封装体，包含第一裸片，其包含半导体基板；隔离层，位于半导体基板上，其中隔离层为第一介电材料；第一虚置导孔，贯穿隔离层至半导体基板之中；接合层，位于隔离层上，其中接合层为第二介电材料，第二介电材料具有小于第一介电材料的导热系数；第...

极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模，所述EUV照明器包括EUV光整形孔，所述EUV光整形孔包括板且所述板具有穿...

本技术实施例公开一种光子偏振分束器。所述分束器包括第一波导、位于所述第一波导上方的第二波导及所述第一波导与所述第二波导之间的双折射耦合器。所述双折射耦合器具有大于所述第一波导的折射率的TM模式的有效折射率及小于所述第一波导的所述折射率的...