【技术实现步骤摘要】
本揭示内容的实施方式一般涉及一种记忆体装置，且特别涉及一种电阻式随机存取记忆体(resistive random access memory；rram)装置。
技术介绍
1、近年来，出现了非传统的非挥发性记忆体(nonvolatile memory；nvm)装置，例如铁电式随机存取记忆体(ferroelectric random access memory；fram)装置、相变化记忆体(phase-change random access memory；pram)装置以及电阻式随机存取记忆体(rram)装置。与传统的nvm装置相比，特别是rram装置具有多种优势，rram装置在高电阻状态(highresistance state；hrs)与低电阻状态(low resistance state；lrs)之间展示转换行为。rram装置的优势包含，例如，与目前互补式金氧半导体(complementary-metal-oxide-semiconductor；cmos)技术兼容的制造步骤、低成本制造、紧密的结构、灵活的可扩充性、快速转换、高集成密度等。此外，由于人工智能(artificial intelligence；ai)和机器学习(machine learning；ml)的许多改进所需的计算需求不断增加，rram实施可以是运行ai和ml应用程序的非常有用的硬体。
2、因此，需要改进rram装置的性能。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种电阻式随机存取记忆体(rram)装置。
2、本揭示内容提供一种制造电阻式随机存取记忆体(rram)装置的方法。此方法包含：形成第一底电极通孔与第二底电极通孔；形成硬遮罩结构，其中硬遮罩结构部分地设置于第一底电极通孔与第二底电极通孔上，硬遮罩结构在垂直方向中从底表面向上延伸至顶表面，硬遮罩结构具有第一侧壁与第二侧壁；形成第一底电极与第二底电极，其中第一底电极与第二底电极分别设置于硬遮罩结构的第一侧壁与第二侧壁上，第一底电极与第二底电极的每一者具有锥形形状；形成转换层，其中转换层设置于硬遮罩结构、第一底电极及第二底电极上；以及形成顶电极，其中顶电极设置于转换层上，顶电极垂直对齐于硬遮罩结构，并间隔于第一底电极与第二底电极上方。
3、本揭示内容提供一种电阻式随机存取记忆体(rram)装置。rram装置包含：底电极通孔，设置于第一介电层中；底电极，电性连接至底电极通孔，并在垂直方向中从底电极通孔向上突伸，其中底电极具有锥形形状，且底电极包含从底表面向上延伸至界面的基座部分，以及从界面向上延伸至顶表面的尖端部分；顶电极，设置于第二介电层中，其中顶电极间隔于底电极上方，并垂直对齐于底电极；以及转换层，设置于第一介电层与第二介电层之间，转换层包围底电极，其中，当施加形成电压时，形成底电极与顶电极之间的导电路径。
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1.一种电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极的每一者包含钛。
3.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极的每一者包含氮化钛(TiN)。
4.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极是相对于该垂直方向对称。
5.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极位于该硬遮罩结构的该顶表面下方。
6.一种制造电阻式随机存取记忆体装置的方法，其特征在于，包含：
7.一种电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，还包含：
9.如权利要求7所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中相较于该基座部分的一沸点，该底电极的该尖端部分具有较高的一沸点。
10.如权利要求7所示的电阻式随机存取记忆体
...【技术特征摘要】
1.一种电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极的每一者包含钛。
3.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极的每一者包含氮化钛(tin)。
4.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极是相对于该垂直方向对称。
5.如权利要求1所示的电阻式随机存取记忆体装置，其特征在于，其中该第一底电极与该第二底电极位于该硬遮罩结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：江政鸿，程仲良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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