一种半导体结构，包括位于第一介电层中的第一下接触特征、位于第一介电层上的蚀刻停止层、形成于蚀刻停止层之上的金属绝缘体金属(MIM)电容器、形成于金属绝缘体金属电容器之上的第二介电层、延伸穿过第二介电层及金属绝缘体金属电容器并与第一下接触特征电性耦接的第一接触通孔、以及位于第一接触通孔之上并与第一接触通孔电性耦接的第一上接触特征，其中金属绝缘体金属电容器的底板与蚀刻停止层直接接触。
【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及一种半导体结构及其形成方法，尤其涉及一种包括金属绝缘体金属电容器的半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit,ic)产业经历了快速成长。集成电路材料及设计的技术进步产生了一代又一代的集成电路，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和制造集成电路的复杂性，要实现这些进步，需要在集成电路加工和制造方向取得类似的发展。在集成电路演进过程中，功能密度(即每个芯片区域的互连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即可以使用工艺创造的最小构件)则减小。
2、随着集成电路装置几何尺寸的减小，需要大表面积的无源装置被移动到后道工序(back-end-of-line,beol)结构。金属绝缘体金属(metal-insulator-metal,mim)电容器是此类无源装置的示例之一。典型的金属绝缘体金属电容器包括多个导体板层，这些导体板层通过多个绝缘体层彼此绝缘。尽管现有的金属绝缘体金属电容器通常足以满足其预期目的，但它们仍无法在各个方面都令人满意。
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该金属绝缘体金属电容器包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一上接触特征延伸穿过该顶板、该第二绝缘体层、该第一绝缘体层、该底板及该蚀刻停止层。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.一种半导体结构，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第二导电层的一部分直接设置于该第二金属线之上，且该第二导电层的一部分直接...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该金属绝缘体金属电容器包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一上接触特征延伸穿过该顶板、该第二绝缘体层、该第一绝缘体层、该底板及该蚀刻停止层。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.一种半导体结构，其特征在于，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀德，郑咏世，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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