一种半导体结构，提供半导体装置内的隔离。上述结构包括第一隔离结构，包括设置在基底上的第一隔离层、设置在第一隔离层上的第二隔离层以及具有第一高度并设置在第二隔离层上的第一高k值介电层。上述结构也包括第二隔离结构，包括设置在基底上的第三隔离...

提供一种人工智能加速器装置。人工智能加速器装置包括一处理元件阵列以及相关联于处理元件阵列的多个权重缓冲器。处理元件阵列包括设置在多个行以及多个列的多个处理元件电路。权重缓冲器是相关联于处理元件阵列的处理元件电路的行的个别子集的行。

提供一种半导体元件包含具有第一端盖部位的第一栅极结构、具有与第一栅极结构同轴的第二端盖部位的第二栅极结构、分离第一端盖部位和第二端盖部位的第一介电区域、延伸越过第一栅极结构的第一导体元件、延伸越过第二栅极结构的第二导体元件以及电性连接第...

一种半导体装置，包括沿第一横向延伸的第一通道区且包括第一外延结构；沿第二横向延伸的介电结构且设置在该第一外延结构旁；介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一半导体区段；以及介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一...

提供了用于形成半导体装置的方法。该方法包括在基板上形成涂覆层的步骤，该涂覆层包含可切换聚合物及酸产生剂，该可切换聚合物包含聚合物主链及连接至该聚合物主链的侧基。所述侧基包括酸不稳定基团及交联基团。随后进行烘烤工艺以引起所述交联基团的交联...

方法包括：在衬底上方形成导电焊盘；在导电焊盘上形成多层钝化结构；图案化多层钝化结构的顶部部分以形成第一开口；在多层钝化结构的图案化顶部部分的侧壁表面上形成掩模膜；在形成掩模膜之后，实施第一蚀刻工艺以去除多层钝化结构的位于第一开口正下方的...

一种半导体结构，用于三维晶体管的鳍片及纳米结构化通道结构的形成技术可调节装置性能。举例而言，可通过修改鳍片/纳米结构化通道结构的形状从而降低其边缘粗糙度来实现鳍片轮廓控制。据此，可改善在鳍片及纳米结构化通道结构的通道区内的电流，从而提升...

一种电容装置、以及半导体装置，电容装置包含半导体基材与凹槽在半导体基材中。绝缘结构设在凹槽中。电容装置也包含半导体柱从半导体基材凸伸，且绝缘结构围绕半导体柱。单晶半导体区设在半导体柱上，且绝缘结构围绕半导体柱以形成电容装置的底板。电容装...

一种封装体结构，包括：一第一芯片结构以及位于第一芯片结构旁侧的一第二芯片结构。封装体结构也包括位于第一芯片结构及第二芯片结构上，并接触第一芯片结构及第二芯片结构的一内连线结构。内连线结构具有多个介电层及多个导电特征部件。导电特征部件的其...

本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒...

一种半导体结构，包括通道构件的垂直堆叠，设置在基板上方；栅极结构，包绕通道构件的垂直堆叠的每个通道构件；介电部件，设置在基板的正上方，并直接接触通道构件的垂直堆叠的部分；以及源极/漏极部件，设置在介电部件的正上方，并电性耦合至通道构件的...

一种半导体装置结构，包括一基底、位于基底上的多个鳍部结构、位于基底上且横向邻近于鳍部结构之间的一隔离结构、位于鳍部结构及隔离结构上的源极及漏极区、位于鳍部结构及隔离结构上并连接源极及漏极区的多个半导体通道层、包围各个半导体通道层的一栅极...

本公开提供一种半导体装置。上述半导体装置包括基板；多个半导体通道层的堆叠，其中多个半导体通道层在基板的表面上方彼此垂直地分隔；界面层，包裹环绕堆叠中的多个半导体通道层的每一者；高k值介电层，位于界面层上，并且包裹环绕堆叠中的多个半导体通...

本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一P型晶体管，形成在基板上且包括第一有源区、第一栅极介电层在第一有源区上、以及第一导电层设置在第一栅极介电层上。第二P型晶体管，形成在基板上且包括第二有源区、第二栅极介电层在第二有源区上、以...

一种半导体装置，含第一及第二源/漏极区；具高k介电特征的介电鳍，介电鳍与第一及第二源/漏极区设为沿第一方向的轴；第一通道，设于第一与第二源/漏极区域间并与之接触；第二通道，自第一源/漏极区朝介电鳍延伸；第一栅极结构，沿垂直第一方向的第二...

一种半导体装置包含第一列主动区域、第二列主动区域及第一电源连通柱。第一列主动区域包含在第一方向上延伸的第一主动区域及在第一方向上延伸的第二主动区域。第一主动区域的每一者在第二方向上具有第一宽度，第二主动区域的每一者在第二方向上具有第二宽...

本技术实施例提供一种半导体封装。半导体封装包括：第一管芯，设置于第一重布线结构上且与其电性耦合，并且被第一绝缘包封体在侧向上覆盖；第二管芯，设置于第一管芯之上且被第二绝缘包封体在侧向上覆盖；第二重布线结构，插入于第一与第二管芯之间且与其...

本技术提供一种半导体装置，包括：设置在第一重分布线结构上方的第一底部晶粒和第二底部晶粒，所述第一重分布线结构包括：第一介电层；以及第一导电特征，所述第一导电特征将所述第一底部晶粒电连接到所述第二底部晶粒；第一顶部晶粒，设置在所述第一底部...

本技术提供一种半导体组件结构和半导体结构，半导体组件结构包括衬底、互连结构及第一密封环结构。衬底包括第一沟渠，第一沟渠延伸到衬底的前侧表面，第一沟渠电容包括以交替方式配置在第一沟渠内和衬底的前侧表面上方的多个第一电容电极层和多个第一电容...

本技术提供一种光学结构。在一些实施例中，光学结构包括：衬底，具有前侧及与前侧相对的后侧；多个影像感测组件，布置于衬底内；以及深沟渠隔离(DTI)结构，设置于相邻的影像感测组件之间。DTI结构自衬底的后侧在衬底内延伸至第一深度且在侧向上环...