半导体结构制造技术

一种半导体结构，提供半导体装置内的隔离。上述结构包括第一隔离结构，包括设置在基底上的第一隔离层、设置在第一隔离层上的第二隔离层以及具有第一高度并设置在第二隔离层上的第一高k值介电层。上述结构也包括第二隔离结构，包括设置在基底上的第三隔离层、设置在第三隔离层上的第四隔离层以及具有第二高度并设置在第四隔离层上的第二高k值介电层，其中第二高度小于第一高度。上述结构还包括设置在第一隔离结构上的栅极结构，以及相邻设置于栅极结构且位于第二隔离结构上的绝缘结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体技术，尤其涉及一种提供半导体装置内的隔离的半导体结构。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，人们对更高的储存容量、更快的工艺系统、更高的效能及更低的成本的要求越来越高。为了满足这些需求，半导体产业不断微缩具有三维晶体管(例如，栅极全绕式场效晶体管(gate-all-around

2、field-effect transistor,gaafet)及鳍式场效晶体管(fin field-effecttransistor,finfet))的半导体装置的尺寸。

技术实现思路

1、本公开实施例的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。

2、在一些实施例中，提供一种半导体结构。上述半导体结构包括：一第一隔离结构，包括：设置在一基底上的一第一隔离层、设置在第一隔离层上的一第二隔离层以及具有一第一高度并设置在第二隔离层上的一第一高k值介电层。上述结构还包括：一第二隔离结构，包括：设置在基底上的一第三隔离层、设置在第三隔离层上的一第四隔离层以及具有一第二高度并设置在第四隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一及该第三隔离层包括氧化物衬层，且其中该第二及该第四隔离层包括氮碳化硅衬层。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第一高k值介电层的该第一高度与该第二高k值介电层的该第二高度的比值在1.5至5之间。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第三隔离层的一顶部包括一倾斜侧壁，且其中该倾斜侧壁与水平方向的夹角在60°至85°之间。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘结构的一下表面低于该第三隔离层的一下表面。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一及该第三隔离层包括氧化物衬层，且其中该第二及该第四隔离层包括氮碳化硅衬层。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第一高k值介电层的该第一高度与该第二高k值介电层的该第二高度的比值在1.5至5之间。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第三隔离层的一顶部包括一倾斜侧壁，且其中该倾斜侧壁与水平方向的夹角在60°至85°之间。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘结构的一下表面低于该第三隔离层的一下表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：林子敬，戴振宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：