【技术实现步骤摘要】
本技术是有关于一种半导体装置。
技术介绍
1、各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，积体密度的提高是由于最小特征尺寸的迭代减小，这允许将更多组件积体到给定区中。随着对缩小电子设备的需求不断增长，出现了一种趋势，即采用更小、更具创造性的半导体晶粒封装技术。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种半导体装置，包括：设置在第一重分布线结构上方的第一底部晶粒和第二底部晶粒，所述第一重分布线结构包括：第一介电层；以及第一导电特征，所述第一导电特征将所述第一底部晶粒电连接到所述第二底部晶粒；第一顶部晶粒，设置在所述第一底部晶粒的第一通孔上方并且电连接到所述第一通孔；第二顶部晶粒，设置在所述第二底部晶粒的第二通孔上方并且电连接到所述第二通孔；以及第一外部连接件和第二外部连接件延伸穿过整个所述第一介电层，所述第一外部连接件与所述第一底部晶粒的第一金属垫接触，所述第二外部连接件与所述第二底部晶粒的第二金属垫接触。
2、本技术实施例提供一种半导体装置包括：彼此横向位移的底部晶粒；顶部晶粒设置在所述底部晶粒上方，所述顶部晶粒彼此横向位移；第一重分布线结构与所述底部晶粒相邻设置，第一对底部晶粒通过所述第一重分布线结构具有直接的晶粒对晶粒电连接，第二对底部晶粒没有通过所述第一重分布线结构直接的晶粒对晶粒电连接；第二重分布线结构设置在所述顶部晶粒上方，第一对顶部晶粒通过所述第二重分布线结构具有直接的晶粒对晶粒电连接，第二对
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电特征将所述第一底部晶粒的第三金属垫电连接到所述第二底部晶粒的第四金属垫。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电特征包括第一导电轨，其中所述第一导电轨包括与所述第一底部晶粒和所述第二底部晶粒相对的最下表面，并且其中整个所述最下表面物理地接触第一介电膜。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在所述第一顶部晶粒和所述第二顶部晶粒上方的第二重分布线结构，所述第二重分布线结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电特征将所述第一顶部晶粒的第三通孔电连接到所述第二顶部晶粒的第四通孔。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
7.一种半导体装置，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述底部晶粒的第一晶粒和所述顶部晶粒的第一晶粒电插入在所述第一重分布线结构和所述第二重分布线结构之间。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电特征将所述第一底部晶粒的第三金属垫电连接到所述第二底部晶粒的第四金属垫。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电特征包括第一导电轨，其中所述第一导电轨包括与所述第一底部晶粒和所述第二底部晶粒相对的最下表面，并且其中整个所述最下表面物理地接触第一介电膜。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在所述第一顶部晶粒和所述第二顶部晶粒上方的第二重分布线结构，所述第二重分布线结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶德强，叶松峯，洪建玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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