半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括沿第一横向延伸的第一通道区且包括第一外延结构；沿第二横向延伸的介电结构且设置在该第一外延结构旁；介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一半导体区段；以及介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一介电区段，第一介电区段与第一半导体区段交替排列，介电结构在第一横向上具有与第一侧壁相对的第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁之间距离的最大变化百分比小于约50％。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种具有外延结构的半导体装置。

技术介绍

1、由于各种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积集密度不断提高，半导体产业经历了快速成长。在很大程度上，这种积集密度的提高来自于反复缩小最小特征尺寸，以允许更多元件可被整合到给定的区域中。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提出一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。

2、本公开实施例提供一种半导体装置，包括：第一通道区，沿第一横向延伸且包括第一外延结构以及第二外延结构；介电结构，介于第一外延结构以及第二外延结构之间；多个第一半导体区段，介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间；多个第一介电区段，介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间，其中第一介电区段与第一半导体区段交替排列；多个第二半导体区段，介于介电结构的第二侧壁以及第二外延结构之间；以及多个第二介电区段，介于介电结构的第二侧壁以及第二外延结构之间，其中第二介电区段与第二半导体区段交替排列；其中在横向对齐的第一半导体区段以及第二半导体区段之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该临界值为1.5。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一第二通道区，平行于该第一通道区设置且包括一第三外延结构以及一第四外延结构。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该介电结构沿一第二横向延伸，且该第二横向垂直于该第一横向；以及

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括一第一有源栅极结构，沿该第二横向延伸且与该介电结构接触，其中该第一有源栅极结构包绕多个第一半导体层中的每一个，多个所述第一半导体层形成在该第二通道区...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该临界值为1.5。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一第二通道区，平行于该第一通道区设置且包括一第三外延结构以及一第四外延结构。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该介电结构沿一第二横向延伸，且该第二横向垂直于该第一横向；以及

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括一第一有源栅极结构，沿该第二横向延伸且与该介电结构接触，其中该第一有源栅极结构包绕多个第一半导体层中的每一个，多个所述第一半导体层形成在该第二通道区中。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子敬，杨舜惠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：