【技术实现步骤摘要】
本揭露的实施方式是有关于一种电容装置、半导体装置及其形成方法。
技术介绍
1、mos(金属氧化物半导体)电容广泛地使用在集成电路(ic)设计中，例如用于输入/输出(i/o)的杂讯的减少上。
2、金属氧化物半导体(mos)电容经常作为互补式金属氧化物半导体(cmos)工艺的部分来形成。在互补式金属氧化物半导体工艺中，晶体管一般通过提供在基材中的具有掺杂漏极/源极区的主动区、在基材上的栅极绝缘层、以及在栅极绝缘层上的栅极电极来形成。接触(例如，钨)将漏极/源极区与栅极电极和导电互连结构连接，导电互连结构具有数个水平导电图案层(一般称做m1、m2等等)以及形成在多个金属间介电(imd)层中的垂直介层窗层。
3、在一些例子中，为了将金属氧化物半导体电容制造整合于相同工艺中，形成金属氧化物半导体电容的上电极来作为栅极层的部分。电容的阳极接触形成在电容的上电极上。阴极接触连接漏极/源极以及块体基材上。
4、随着晶体管尺寸(包含栅极绝缘层厚度)的缩减，漏电流成为问题，且栅极介电层变得更容易崩溃。为了进一步减少漏电流...
【技术保护点】
1.一种电容装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，所述凹槽设在该半导体基材中的一p型井中。
3.如权利要求1或2所述的电容装置，其特征在于，还包含多个额外的半导体柱凸伸自该半导体基材，且所述多个额外的半导体柱与该单晶半导体区直接接触。
4.一种半导体装置，其特征在于，包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包含多个额外的柱在该凹槽中，所述多个额外的柱连接该单晶半导体层至该半导体基材。
6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，还包含一绝缘结构设在该凹槽中
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【技术特征摘要】
1.一种电容装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，所述凹槽设在该半导体基材中的一p型井中。
3.如权利要求1或2所述的电容装置，其特征在于，还包含多个额外的半导体柱凸伸自该半导体基材，且所述多个额外的半导体柱与该单晶半导体区直接接触。
4.一种半导体装置，其特征在于，包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包含多个额外的柱在该凹槽中，所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈重磊，郑安皓，康孟意，林彦良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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