用于形成半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了用于形成半导体装置的方法。该方法包括在基板上形成涂覆层的步骤，该涂覆层包含可切换聚合物及酸产生剂，该可切换聚合物包含聚合物主链及连接至该聚合物主链的侧基。所述侧基包括酸不稳定基团及交联基团。随后进行烘烤工艺以引起所述交联基团的交联以形成交联涂覆层。接着，将光阻剂层沉积至该交联涂覆层上。在将该光阻剂层及该交联涂覆层选择性地曝光于图案化辐射之后，显影该选择性曝光的光阻剂层及该交联涂覆层以在该光阻剂层及该交联涂覆层上形成开口的图案。

【技术实现步骤摘要】

本揭露关于一种用于形成半导体装置的方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业经历了指数增长。ic材料及设计方面的技术进步产生了多代ic，其中每一代均具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic进化过程中，功能密度(亦即，每芯片面积的互连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(亦即，可使用制造工艺产生的最小元件(或线))已减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小亦增加了处理及制造ic的复杂性。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种用于形成半导体装置的方法包括以下步骤。在基板上方形成涂覆层。涂覆层包含可切换聚合物及酸产生剂。可切换聚合物包含聚合物主链及连接至聚合物主链的多个侧基，其中这些侧基包括多个酸不稳定基团及多个交联基团。进行烘烤工艺，以使这些交联基团发生交联反应，从而形成交联涂覆层。将光阻剂层沉积至交联涂覆层上方。将光阻剂层及交联涂覆层选择性地曝光于图案化辐射。显影选择性曝光的光阻剂层及交联涂覆层，以在光阻剂层及交联涂覆层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中该可切换聚合物进一步包含连接至该聚合物主链的多个悬垂漂浮基团。

3.一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：

4.一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：

5.如权利要求4所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中该可切换聚合物具有以下结构(I)：

6.如权利要求5所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中R1具有以下结构中的一者：

7.如权利要求5所述的用于形...

【技术特征摘要】

1.一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中该可切换聚合物进一步包含连接至该聚合物主链的多个悬垂漂浮基团。

3.一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：

4.一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：

5.如权利要求4所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中该可切换聚合物具有以下结构(i)：

6.如权利要求5所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中r1具有以下结构中的一者：

7.如权利要求5所述的用于形成该半导体装置的方法，其特征在于，其中r2具有以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：