【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种半导体装置，特别是关于一种具有电源连通柱的半导体装置。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit，ic)发展已生产出消耗较少能源且以更高速提供更多功能性的较小装置。在这些装置的制造中(其包含设计、布局及ic的制造)，标准单元通常被放置及运送以形成功能电路，而电源分布网络(power distribution network，pdn)是提供为供应电源至标准单元。在一些装置中，电源分布网络包含通过ic的后侧供应电源至标准单元。在这些后侧电源供应系统中，供应电源至ic的内连接已被移至ic中的晶体管的下方。
技术实现思路
1、本揭露的一态样是提供一种半导体装置，其是包含第一列主动区域、第二列主动区域及第一电源连通柱。第一列主动区域包含在第一方向上延伸的第一主动区域及在第一方向上延伸的第二主动区域。第一主动区域的每一者在第二方向上具有第一宽度，第二主动区域的每一者在第二方向上具有第二宽度，且第二宽度小于第一宽度。第二列主动区域位于第一列主动区域之上或之下，且包含在第一方向延伸的第三主动区域。第三主动区域的每一者在第二方向上具有第二宽度。第一电源连通柱在半导体装置的晶体管层及半导体装置的后侧金属层之间的第三方向上延伸，并位于第一列主动区域及第二列主动区域之间。
2、本揭露的另一态样是提供一种半导体装置，其是包含在第一方向上延伸的第一主动区域及在第一方向上延伸的第二主动区域，且第二主动区域在第二方向上与第一主动区域分开。半导体装置还包含设置在第一主
3、本揭露的再一态样是提供一种半导体装置。半导体装置包含基材、在半导体装置的基材中的主动区域；延伸穿过相邻于主动区域的基材的至少一部分的电源连通柱；在主动区域上的扩散层上金属(md)区域；在电源连通柱上的通孔；在通孔上的前侧金属层；以及在电源连通柱上的后侧金属层。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
6.一种半导体装置，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，其中该至少一电源连通柱为电性耦合至该后侧金属层、该扩散层上金属及该栅极上通孔的一延长电源连通柱。
9.如权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，其中该至少一电源连通柱为一第一电源连通柱岛及一第二电源连通柱岛，该第一电源连通柱岛是电性耦合该后侧金属层及该扩散层上金属，且该第二电源连通柱岛电性耦合该后侧金属层及该栅极上通孔。
10.一种半导体装置，其特征在于，包含：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
6.一种半导体装置，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
...【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬余，陈冠宇，彭士玮，林威呈，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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