一种半导体装置，其特征在于，包含：多个通道层，以一分隔方式往上堆叠设置；一栅极结构，环绕每一所述多个通道层；多个源极/漏极磊晶结构，分别位于该栅极结构的相对侧；以及多个内间隔物，与所述多个通道层交替，所述多个间隔物将该栅极结构分隔于所述...

一种半导体装置包括位于半导体衬底的表面附近的第一导电类型的第一阱以及位于半导体衬底的表面附近的第二导电类型的第二阱。半导体装置包括晶体管，晶体管包括：(i)第一源极/漏极区，形成于第一阱中；(ii)第二源极/漏极区，形成于第二阱中；以及...

本技术实施例涉及一种光子系统。根据本技术的一些实施例，一种光子系统包含波导。所述光子系统进一步包含与所述波导间隔开的微环调制器MRM。所述光子系统进一步包含加热器，所述加热器经配置以响应于所述加热器接收到第一电压而增加所述MRM的温度。...

本技术提供一种半导体封装包括第一重布线结构、第二重布线结构、第一管芯、第一包封体、第二管芯、第二包封体、导电连接件以及第三管芯。第二重布线结构位于第一重布线结构上。第一管芯位于第一重布线结构与第二重布线结构之间。第一包封体在侧向上包封第...

本技术实施例公开一种可重配置处理电路以及处理核心。在一个方面中，所述可重配置处理电路包含：第一存储器，其经配置以存储输入激活状态；第二存储器，其经配置以存储权重；乘法器，其经配置以将所述权重与所述输入激活状态相乘且输出乘积；第一多路复用...

本技术实施例涉及一种封装结构及高带宽存储器HBM装置。一种封装结构包括：第一衬底，包括逻辑晶体管；第一互连结构，在所述第一衬底上；第一接合层，在所述第一互连结构上；第二接合层，在所述第一接合层上且接合到所述第一接合层；第二互连结构，在所...

本揭露是有关于一种半导体结构。半导体结构包含：包含晶界的金属；形成在金属上的介电材料；以及延伸穿过介电材料至金属的贯孔结构，其中贯孔结构具有形成在金属的顶表面的贯孔锚，贯孔锚具有垂直延伸至金属的深度及沿着金属的顶表面侧向延伸的底切，深度...

提供一具有杂散光防止机制的显示装置。此显示装置包含：基材；设置于基材中的多个控制晶体管；位于基材上方的多层互连(multi‑layer interconnect；MLI)结构；以及设置于MLI结构上方的发光装置层。发光装置层包含分别对应...

本技术实施例提供一种时钟合成器。时钟缓冲器经配置以存储输入时钟信号。工作周期校正器DCC电路连接到所述时钟缓冲器。所述DCC电路经配置以从所述时钟缓冲器接收所述输入时钟信号，接收控制信号，且基于所述控制信号调整所述输入时钟信号的工作周期...

本技术提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一电路区、第二电路区、内部切割道以及连接密封结构。第一电路区设置于衬底的上方且被第一密封环结构环绕。第二电路区设置于衬底的上方且被第二密封环结构环绕。内部切割道设置于第一电路区与第二电路区之...

本技术的各种实施例是有关于一种半导体装置。基底具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。第一晶体管具有第一栅极，第二晶体管具有第二栅极，且第三晶体管具有第三栅极。第一栅极、第二栅极及第三栅极各自设置于基底的第一侧之上。第二栅极设置于第一栅极与第...

本技术实施例公开用于人工智能AI加速器的管线化处理核心。管线化处理核心包含：第一处理核心，其经配置以具有第一类型的数据流；及第二处理核心，其经配置以具有第二类型的数据流。所述第一处理核心包含布置成列及行的处理元件PE的矩阵阵列，所述PE...

本技术实施例的各种实施例涉及一种半导体封装。所述半导体封装包括：中介层；第一集成电路装置，贴合至中介层，其中第一集成电路装置包括晶粒及散热结构，所述晶粒具有面朝中介层的有源表面及与有源表面相对的非有源表面，所述散热结构贴合至晶粒的非有源...

本技术提供一种用于量测时钟讯号的占空比的占空比量测装置，包括电荷帮浦电路及时控比较器电路。电荷帮浦电路被配置成接收具有未知的占空比的时钟讯号，且基于时钟讯号的占空比产生电容器电压。时控比较器电路被配置成接收电容器电压及参考电压，且基于电...

提供了半导体结构及其制造方法。该方法包括：形成第一沟道结构和第二沟道结构，并形成附接至第一沟道结构的相对侧的第一类型的源极/漏极结构和附接至第二沟道结构的相对侧的第二类型的源极区/漏极结构。该方法还包括：形成具有覆盖第一沟道结构的第一部...

本发明的实施例提供了一种集成电路包括：核心域，具有较小器件和较低操作电压的至少一个核心域设计规则限制；输入/输入域，具有比核心域的较小器件更大的器件和比核心域较低的操作电压更高的操作电压的输入/输出域设计规则限制；以及映射单元，包括两个...

一种半导体结构，包括第一晶体管，第一晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第一鳍片和第二鳍片、在第一鳍片和第二鳍片的通道区上方的第一栅极结构、设置并跨越第一鳍片和第二鳍片的第一源极/漏极特征。半导体结构还包括第二晶体管，第二晶体管包括从...

本公开提供了光子结构的实施例，光子结构包括位于衬底上的环形光波导；被配置为将光耦合到环形光波导中的轨道光波导；以及被配置在环形光波导和轨道光波导周围的增强部件，以增强光子结构。

一种晶片总成以及集成电路制造系统，集成电路晶片总成包括集成电路晶粒，集成电路晶粒包括第一基板，晶体管形成在第一基板中；第一结构，含有第一金属化组件；以及第二结构，含有第二金属化组件。第一结构安置在第一基板的第一侧之上。第二结构安置在与第...

此处所述的一些实施方式包括半导体装置，其包括：多个通道层，位于一半导体基板上，其中所述通道层的配置方向垂直于该半导体基板；一栅极结构，包覆每一所述通道层；以及一源极/漏极区，与所述通道层与该栅极结构相邻且包括：一第一晶种层，包括一第一晶...