半导体装置制造方法及图纸

此处所述的一些实施方式包括半导体装置，其包括：多个通道层，位于一半导体基板上，其中所述通道层的配置方向垂直于该半导体基板；一栅极结构，包覆每一所述通道层；以及一源极/漏极区，与所述通道层与该栅极结构相邻且包括：一第一晶种层，包括一第一晶种材料于所述通道层的一或多者的末端上；一第二晶种层，包括一第二晶种材料于所述通道层的一或多者的末端上的该第一晶种材料上；一第一外延层，位于该第一晶种层与该第二晶种层上；以及一第二外延层，位于该第一外延层上。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例关于全绕式栅极装置的源极/漏极区，更特别关于源极/漏极区的核心外延层与盖外延层的沉积配方。

技术介绍

1、随着半导体装置的制造方法进展以及技术制程节点的尺寸缩小，短通道效应如热载子劣化、能障降低、量子限制、或类似问题可能影响晶体管。此外，随着晶体管的栅极长度缩小以用于较小的技术节点，源极/漏极电子穿隧可能增加而增加晶体管的关闭电流(流过关闭设置中的晶体管其通道的电流)。硅或硅锗纳米结构晶体管如纳米线、纳米片、与全绕式栅极装置，是克服较小技术节点的短通道效应的可能选择。纳米结构晶体管相对于其他种类的晶体管，为减少短通道效应与增进载子迁移率的有效结构。

技术实现思路

1、此处所述的一些实施方式提供半导体装置。半导体装置包括多个通道层，位于半导体基板上，其中通道层的配置方向垂直于半导体基板。半导体装置包括栅极结构，包覆每一通道层。半导体装置包括源极/漏极区，与通道层与栅极结构相邻且包括：第一晶种层，包括第一晶种材料于通道层的一或多者的末端上；第二晶种层，包括第二晶种材料于通道层的一或多者的末端上的第一晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述凸出形状的凸出物的宽度为近似1nm至近似5nm。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二外延层的厚度为近似30nm至近似70nm。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述通道层的最顶部的通道层的上表面上的该第二外延层的高度为近似2nm至近似10nm。

6.一种半导体装置，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，盖外延层的厚...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述凸出形状的凸出物的宽度为近似1nm至近似5nm。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二外延层的厚度为近似30nm至近似70nm。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述通道层的最顶部的通道层的上表面上的该第二外延层的高度为近似2nm至近似10nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：沙哈吉·B·摩尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：