【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体结构，尤其涉及具有cpode结构的半导体结构。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)工业呈指数成长。在ic材料及ic设计的技术进步产生多个ic世代，每一个ic世代比上一个ic世代有更小及更复杂的电路。在ic发展过程中，工艺可作出的几何尺寸(例如：最小部件(或线路))会下降，而功能密度(例如:每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加。此微缩过程通过增加生产效率及降低相关成本提供了优势。
2、此微缩亦增加了ic工艺及制造的复杂性，并且为了实现这些进步，需要在ic工艺及制造中进行相似的发展。举例来说，已经发展了各种方法来形成隔离结构以将有源区分成多个片段。尽管现有的隔离结构通常足以隔离有源区片段，但它们并非在各个方面都令人满意。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。
2、本技术提供一种半导体结构。半导体结构包括第一晶体管、第二晶体管、以及鳍片隔离结构。第一晶体管包括第一鳍片、第二鳍片、第一栅极结构、以及第一源极/漏极特征。第一鳍片和第二鳍片从基板突出，并且由隔离特征隔开。第一栅极结构在第一鳍片和第二鳍片的多个通道区上方。第一源极/漏极特征设置并且跨越第一鳍片和第二鳍片上方。第二晶体管包括第三鳍片、第四鳍片、第二栅极结构、以及第二源极/漏极特征。第三鳍片和第四鳍片从基板突出，并且由隔离特征隔开。第二栅极结构在第三鳍片和第四鳍片的多个通道区上方。第二源极/漏极特征设置并
3、根据本公开其中一个实施方式，还包括：一第一栅极隔离结构；以及一第二栅极隔离结构，其中上述第一栅极结构、上述第二栅极结构和上述鳍片隔离结构中的每一者与上述第一栅极隔离结构和上述第二栅极隔离结构两者直接接触。
4、根据本公开其中一个实施方式，上述鳍片隔离结构的上述底表面低于上述第一栅极隔离结构的一底表面，并且上述第一栅极隔离结构的上述底表面低于上述隔离特征的一底表面。
5、根据本公开其中一个实施方式，上述鳍片隔离结构的上述底表面与上述隔离特征的上述底表面之间的一距离在25nm和100nm之间。
6、根据本公开其中一个实施方式，上述鳍片隔离结构的一厚度大于上述第一栅极隔离结构和上述第二栅极隔离结构的一厚度。
7、根据本公开其中一个实施方式，鳍片隔离结构沿着垂直于上述第一栅极结构和上述第二栅极结构的一方向具有在15nm和30nm之间的一宽度。
8、根据本公开其中一个实施方式，上述鳍片隔离结构的上述底表面是非平面的。
9、根据本公开其中一个实施方式，上述鳍片隔离结构具有一气隙。
10、根据本公开其中一个实施方式，上述鳍片隔离结构在沿着平行于上述第一栅极结构和上述第二栅极结构的上述方向的一剖面具有一倒梯形。
11、根据本公开其中一个实施方式，上述第一鳍片与上述第三鳍片对齐，并且上述第二鳍片与上述第四鳍片对齐。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的上述底表面低于上述第一栅极隔离结构的一底表面，并且上述第一栅极隔离结构的上述底表面低于上述隔离特征的一底表面。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的上述底表面与上述隔离特征的上述底表面之间的一距离在25nm和100nm之间。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的一厚度大于上述第一栅极隔离结构和上述第二栅极隔离结构的一厚度。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，鳍片隔离结构沿着垂直于上述第一栅极结构和上述第二栅极结构的一方向具有在15nm和30nm之间的一宽度。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的上述底表面是非平面的。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构具有一气隙。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述第一鳍片与上述第三鳍片对齐，并且上述第二鳍片与上述第四鳍片对齐。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的上述底表面低于上述第一栅极隔离结构的一底表面，并且上述第一栅极隔离结构的上述底表面低于上述隔离特征的一底表面。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的上述底表面与上述隔离特征的上述底表面之间的一距离在25nm和100nm之间。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，上述鳍片隔离结构的一厚度大于上述第一栅极隔离结构和上述第二栅极隔离结构的一厚度。
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：江欣哲，黄俊宏，吴启维，王淑慧，叶震亚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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