半导体装置制造方法及图纸

本技术提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一电路区、第二电路区、内部切割道以及连接密封结构。第一电路区设置于衬底的上方且被第一密封环结构环绕。第二电路区设置于衬底的上方且被第二密封环结构环绕。内部切割道设置于第一电路区与第二电路区之间。连接密封结构连接第一密封环结构和第二密封环结构，使得第一密封环结构的部分、第二密封环结构的一部分和连接密封结构环绕内部切割道。本技术可以在装置开发阶段减少光掩模的数量。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、在开发诸如集成电路(ic)或大规模集成电路(lsi)的半导体装置时，在获得最终电路设计之前测试各种电路设计(布局)。由于半导体装置的制造操作成本，特别是光刻成本迅速增加，因此需要降低制造测试光掩模的成本。此外，随着半导体装置尺寸的减小，需要更灵活的电路布局设计。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种半导体装置，包括：第一电路区，设置于衬底的上方，且被第一密封环结构环绕；第二电路区，设置于所述衬底的上方，且被第二密封环结构环绕；内部切割道，设置于所述第一电路区与所述第二电路区之间；以及连接密封结构，连接所述第一密封环结构和所述第二密封环结构，使得所述第一密封环结构的部分、所述第二密封环结构的一部分和连接密封结构环绕所述内部切割道。

2、本技术实施例提供一种半导体装置，包括：电路区，设置于衬底的上方；第一密封环结构，环绕所述电路区；以及第二密封环结构，设置在所述第一密封环结构的上方，且环绕所述电路区，其中所述第一密封环结构包括两个侧向突出部，所述两个侧向突出部在俯视图中侧向突出超过所述第二密封环结构。

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括第三密封环结构，环绕所述第一电路区与所述第二电路区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第N层布线层是所述半导体装置的最上层布线层。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括连接所述第一电路区中的电路和所述第二电路区中的电路并跨接在所述内部切割道的上方的连接图案。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，还包括接垫电极，由所述第N层布线层中的布线图案所组成。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，M为1、2或3。

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括第三密封环结构，环绕所述第一电路区与所述第二电路区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第n层布线层是所述半导体装置的最上层布线层。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

6.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖季晖，林伟睿，陈扬哲，陆湘台，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：