半导体元件制造技术

提供一种半导体元件包含具有第一端盖部位的第一栅极结构、具有与第一栅极结构同轴的第二端盖部位的第二栅极结构、分离第一端盖部位和第二端盖部位的第一介电区域、延伸越过第一栅极结构的第一导体元件、延伸越过第二栅极结构的第二导体元件以及电性连接第二栅极结构和第二导体元件的栅极导通孔。第一介电区域具有第一宽度且至少部分地位于第一导体元件下方，并定义位于栅极导通孔和第二端盖部位的一端之间的间距，间距超过预定距离。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是有关于一种半导体元件。

技术介绍

1、半导体元件被用于各种电子应用，如个人计算机、手机、数字相机和其他电子元件。半导体元件是通过在基材上依次沉积绝缘层或介电层、导体层和半导体材料层，并使用微影技术对各种材料层进行图案化，以形成其上的电路元件和元件而制作的。随着半导体行业进入纳米技术工艺节点，追求更高的元件密度、更高的性能和更低的成本，来自制作和设计问题的挑战导致了许多三维设计的发展，包含例如金属氧化物-硅场效晶体管(mos-fet)、场效晶体管(fet)、鳍式场效晶体管(finfet)、纳米片场效晶体管、纳米线场效晶体管和环绕式栅极(gaa)元件。

2、集成电路(ic)制作通常被分为前段工艺(feol)和后段工艺(beol)。feol工艺通常包含那些与在半导体基材中或基材上制作功能元件(如晶体管和电阻)有关的工艺。例如，feol工艺通常包含形成隔离特征、栅极结构以及源极和漏极特征(也称为源极/漏极特征或s/d特征)。beol工艺通常包含那些与制作多层互连(multilayer interconnect,mli)特征有关的工艺。多层互连特本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.一种半导体元件，其特征在于，包含：

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

7.一种半导体元件，其特征在于，包含：

8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

9.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

1...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.一种半导体元件，其特征在于，包含：

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志良，卢麒友，蔡庆威，谌俊元，田丽钧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：