【技术实现步骤摘要】
本技术实施例关于半导体装置，特别关于采用间隔物晶粒的基板上晶圆上芯片结构与其形成方法。
技术介绍
1、封装基板可作为至少一半导体晶粒与印刷电路之间的中间结构。在这些例子中，至少一半导体晶粒贴合至封装基板，且封装基板与至少一半导体晶粒的组装可接合至印刷电路板，使封装基板面向印刷电路板。贴合至少一半导体晶粒至封装基板所用的接合工艺成本较高，且可能为明显的良率下降因素。
技术实现思路
1、本技术一实施例提供的半导体结构，包括：中介层，包含多个中介层上凸块结构；至少一半导体晶粒，经由多个第一焊料材料部分接合至第一组的中介层上凸块结构，其中至少一半导体晶粒各自包括个别组的多个晶体管与个别组的多个金属内连线结构；至少一间隔物晶粒，经由多个第二焊料材料部分接合至第二组的该些中介层上凸块结构，其中至少一间隔物晶粒各自不具有任何晶体管于其中；以及成型化合物晶粒框，横向围绕每一至少一半导体晶粒与每一至少一间隔物晶粒。
2、本技术一实施例提供的半导体结构，其特征在于，该成型化合物晶粒框的水平表面与该至少一半导体晶粒及该至少一间隔物晶粒的上表面位于相同的水平平面中。
3、本技术一实施例提供的半导体结构，其特征在于，该中介层的所有外侧侧壁与该成型化合物晶粒框的侧壁垂直地一致。
4、本技术一实施例提供的半导体结构，其特征在于，还包括一底填材料部分延伸为单一的连续结构于每一该些第一焊料材料部分与每一该些第二焊料材料部分周围，并横向围绕每一该些第一焊料材料部分与每一该些第二焊料
5、本技术一实施例提供的半导体结构，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括一基体材料部分以自该至少一间隔物晶粒的一者的下表面连续延伸至该至少一间隔物晶粒的一者的上表面。
6、本技术一实施例提供的组装包括：扇出式封装，包含中介层、至少一半导体晶粒接合至中介层、至少一间隔物晶粒接合至中介层、与成型化合物晶粒框横向围绕至少一半导体晶粒与至少一间隔物晶粒，其中中介层的所有外侧侧壁与成型化合物晶粒框的侧壁垂直地一致；印刷电路板；以及焊料接面的阵列，接合至位于中介层上的多个中介层侧接合垫以及位于印刷电路板上的多个印刷电路板接合垫。
7、本技术一实施例提供的组装，其特征在于，该至少一半导体晶粒与该至少一间隔物晶粒各自包括的个别水平表面，位于含有该成型化合物晶粒框的上表面的水平平面中。
8、本技术一实施例提供的组装，其特征在于：
9、该至少一半导体晶粒各自包括个别组的多个晶体管与个别组的多个金属内连线结构；以及
10、该至少一间隔物晶粒各自不具有任何晶体管于其中。
11、本技术一实施例提供的组装，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括基体材料部分，其自该至少一间隔物晶粒的一者的下表面连续延伸至该至少一间隔物晶粒的一者的上表面。
12、本技术一实施例提供的组装，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括含有一组多个重布线的布线内连线的重布线晶粒以及含有一聚合物材料的多个重布线介电层。
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1.一种半导体结构，其特征在于包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该成型化合物晶粒框的水平表面与该至少一半导体晶粒及该至少一间隔物晶粒的上表面位于相同的水平平面中。
3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该中介层的所有外侧侧壁与该成型化合物晶粒框的侧壁垂直地一致。
4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括一底填材料部分延伸为单一的连续结构于每一该些第一焊料材料部分与每一该些第二焊料材料部分周围，并横向围绕每一该些第一焊料材料部分与每一该些第二焊料材料部分。
5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括一基体材料部分以自该至少一间隔物晶粒的一者的下表面连续延伸至该至少一间隔物晶粒的一者的上表面。
6.一种组装，其特征在于包括：
7.如权利要求6所述的组装，其特征在于，该至少一半导体晶粒与该至少一间隔物晶粒各自包括的个别水平表面，位于含有该成型化合物晶粒框的上表面的水平平面中。
8.如权利要求6或7所述的组装，其特征在于：
9.如权利要求8所述的组装，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括基体材料部分，其自该至少一间隔物晶粒的一者的下表面连续延伸至该至少一间隔物晶粒的一者的上表面。
10.如权利要求8所述的组装，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括含有一组多个重布线的布线内连线的重布线晶粒以及含有一聚合物材料的多个重布线介电层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该成型化合物晶粒框的水平表面与该至少一半导体晶粒及该至少一间隔物晶粒的上表面位于相同的水平平面中。
3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该中介层的所有外侧侧壁与该成型化合物晶粒框的侧壁垂直地一致。
4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括一底填材料部分延伸为单一的连续结构于每一该些第一焊料材料部分与每一该些第二焊料材料部分周围，并横向围绕每一该些第一焊料材料部分与每一该些第二焊料材料部分。
5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该至少一间隔物晶粒的一者包括一基体材料部分以自该至少一间隔物晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：章圣恺，李国祥，洪忠贤，陈列全，郭建利，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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