System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 封装结构、半导体管芯及其形成方法技术_技高网

封装结构、半导体管芯及其形成方法技术

技术编号:40553471 阅读:9 留言:0更新日期:2024-03-05 19:13
提供了具有堆叠的半导体管芯的封装结构及其形成方法,该堆叠的半导体管芯具有波浪形侧壁。封装结构包括:接合在一起的第一管芯和第二管芯;横向密封所述第一管芯的第一密封剂;以及横向密封所述第二管芯的第二密封剂,其中,在横截面中,与所述第二密封剂接触的所述第二管芯的第二界面为波浪形界面。本发明专利技术的实施例还提供了半导体管芯及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及封装结构、半导体管芯及其形成方法


技术介绍

1、将半导体器件用于各种电子应用中,作为实例,诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层,以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十个或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来切单单独的管芯。然后,例如在多芯片模块或其他类型的封装中,分别封装单独的管芯。

2、半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度,这允许将更多组件集成到给定区域中。随着先进半导体制造节点中的部件尺寸不断缩小,出现了必须应对新的挑战。


技术实现思路

1、本专利技术的一些实施例提供了一种半导体管芯,该半导体管芯包括:器件区域;切割区域,横向围绕器件区域;以及密封环区域,横向设置在器件区域和切割区域之间,其中,在切割区域中的截面图中,半导体管芯具有波浪形侧壁。

2、本专利技术的另一些实施例提供了一种封装结构,该封装结构包括:第一管芯和第二管芯,接合在一起;第一密封剂,横向密封第一管芯;以及第二密封剂,横向密封第二管芯,其中,在横截面中,与第二密封剂接触的第二管芯的第二界面为波浪形界面。

3、本专利技术的又一些实施例提供了一种形成半导体管芯的方法,该方法包括:提供半导体器件,半导体器件具有器件区域、切割区域和密封环区域,密封环区域横向设置在器件区域和切割区域之间;在半导体器件上方形成光刻胶图案;通过使用光刻胶图案执行等离子体切割工艺,以在切割区域中形成多个第一开口,其中,多个第一开口在切割区域中横向围绕测试键;以及去除多个第一开口之间的半导体器件的部分,以在切割区域中形成穿透半导体器件的第二开口,从而将半导体器件切单成多个半导体管芯,其中,在切割区域中的截面图中,多个半导体管芯具有波浪形侧壁。

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【技术保护点】

1.一种半导体管芯,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体管芯,其中,所述波浪形侧壁具有彼此连接的至少一个波峰和至少一个波谷。

3.根据权利要求1所述的半导体管芯,其中,在俯视图中,所述半导体管芯具有四个边缘和四个拐角,并且所述四个边缘的所有边缘都具有波浪形侧边。

4.根据权利要求3所述的半导体管芯,其中,所述四个拐角的所有拐角包括平坦侧边、弧形侧边或波浪形侧边。

5.根据权利要求1所述的半导体管芯,还包括:

6.根据权利要求5所述的半导体管芯,其中,所述波浪形侧壁通过所述互连结构的所述介电层与所述密封环物理分隔开。

7.一种封装结构,包括:

8.根据权利要求7所述的封装结构,其中,在俯视图中,所述第二管芯具有四个边缘和四个拐角,并且所述四个边缘的所有边缘都具有波浪形侧边。

9.根据权利要求8所述的封装结构,其中,所述四个拐角的所有拐角包括平坦侧边、弧形侧边或波浪形侧边。

10.一种形成半导体管芯的方法,包括:

【技术特征摘要】

1.一种半导体管芯,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体管芯,其中,所述波浪形侧壁具有彼此连接的至少一个波峰和至少一个波谷。

3.根据权利要求1所述的半导体管芯,其中,在俯视图中,所述半导体管芯具有四个边缘和四个拐角,并且所述四个边缘的所有边缘都具有波浪形侧边。

4.根据权利要求3所述的半导体管芯,其中,所述四个拐角的所有拐角包括平坦侧边、弧形侧边或波浪形侧边。

5.根据权利要求1所述的半导体管芯,还包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:陈承先林其谚陈旭贤郭庭豪林长青
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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