【技术实现步骤摘要】
本技术实施例是关于集成电路，特别是关于具有底部介电绝缘体及鳍状物侧壁间隔物的集成电路。
技术介绍
1、对于包括智能手机、平板电脑、台式电脑、笔记本电脑及许多其他种类的电子装置在内的电子装置的计算能力具有持续的需求。集成电路为这些电子装置提供计算能力。一种提升集成电路中的计算能力的方法是增加所能够包括在半导体基板的给定区域中的晶体管及其他集成电路部件的数目。
2、纳米结构晶体管能够协助提升计算能力，因为纳米结构晶体管可以很小且相对于传统的晶体管能够具有改善的功能性。纳米结构晶体管可以包括多个半导体纳米结构(举例而言：纳米线、纳米片等)，其作为用于晶体管的通道区。
3、随着尺寸缩减持续进行，分离导体部件的距离减少。这样会导致不预期的漏电流的风险或甚至邻近部件之间的短路。这样的结果，导致电路的功能性不佳、电路失去功能以及整体良率降低。
技术实现思路
1、一实施例是关于一种集成电路，包括：一半导体基底；一浅沟槽隔离区，在上述半导体基底；多个堆叠的第一半导体纳米结构，在上述半导体基底的上方并对应于一第一晶体管的通道区；一第一源极/漏极区，与上述第一半导体纳米结构接触；一第一栅极电极，在上述第一半导体纳米结构的上方；一第一侧壁间隔物，高于上述第一半导体纳米结构且横向对上述第一栅极电极连接；以及一第二侧壁间隔物，与上述第一侧壁间隔物为相同材料，在上述浅沟槽隔离区上且横向对上述第一源极/漏极区的一下部连接。
2、优选地，上述集成电路更包括：一第一底隔离结构，其位
3、优选地，该第一底隔离结构包括：一第一介电阻障结构，与该半导体基底接触；以及一第二介电阻障结构，在该第一介电阻障结构上且与第一源极/漏极区的底部接触。
4、优选地，上述集成电路更包括：多个内间隔物，在所述第一半导体纳米结构之间，且将该第一源极/漏极区与该第一栅极电极隔离，其中所述内间隔物与该第一介电阻障结构为相同材料。
5、优选地，该第一底隔离结构延伸而低于该浅沟槽隔离区的顶表面。
6、优选地，该第一源极/漏极区包括一上部，该上部延伸而高于该第二侧壁间隔物，该上部的横向宽度大于该第一源极/漏极区的该下部的横向宽度。
7、优选地，上述集成电路更包括：多个堆叠的第二半导体纳米结构，在该半导体基底的上方并对应于一第二晶体管的通道区；一第二源极/漏极区，与所述第二半导体纳米结构接触；一第二栅极电极，在所述第二半导体纳米结构的上方；一第三侧壁间隔物，高于所述第二半导体纳米结构且横向对该第二栅极电极连接；以及一第四侧壁间隔物，在该浅沟槽隔离区上且横向对该第二源极/漏极区的一下部连接。
8、优选地，上述集成电路更包括：一层间介电层在该第一源极/漏极区的上方与该第二源极/漏极区的上方，并在该第二侧壁间隔物与该第三侧壁间隔物之间延伸。
9、又另一实施例是关于一种集成电路，包括：一半导体鳍状物，包括一半导体基底及在上述半导体基底的上方的一晶体管的一通道区；一浅沟槽隔离结构，在上述半导体基底中；一源极/漏极区，在上述半导体鳍状物中，并与上述通道区接触；一介电质底部隔离结构，在上述源极/漏极区与上述半导体基底之间，并将上述源极/漏极区与上述半导体基底电性隔离；以及一鳍状物侧壁间隔物，在上述浅沟槽隔离结构上，在高于上述浅沟槽隔离结构5nm与30nm之间处延伸，且对上述源极/漏极区的一下部横向连接。
10、优选地，该介电质底部隔离结构包括：一第一介电阻障结构，与该半导体基底接触；以及一第二介电阻障结构，在该第一介电阻障结构上且与该半导体基底接触。
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1.一种集成电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，更包括：一第一底隔离结构，其位于该第一源极/漏极区与该半导体基底之间，并配置为将第一源极/漏极区与该半导体基底电性隔离。
3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一底隔离结构包括：
4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，更包括：多个内间隔物，在所述第一半导体纳米结构之间，且将该第一源极/漏极区与该第一栅极电极隔离，其中所述内间隔物与该第一介电阻障结构为相同材料。
5.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一底隔离结构延伸而低于该浅沟槽隔离区的顶表面。
6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一源极/漏极区包括一上部，该上部延伸而高于该第二侧壁间隔物，该上部的横向宽度大于该第一源极/漏极区的该下部的横向宽度。
7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，更包括：
8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，更包括：一层间介电层在该第一源极/漏极区的上方与该第二源极/漏极区的上方，并在该第二侧
9.一种集成电路，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，该介电质底部隔离结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，更包括：一第一底隔离结构，其位于该第一源极/漏极区与该半导体基底之间，并配置为将第一源极/漏极区与该半导体基底电性隔离。
3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一底隔离结构包括：
4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，更包括：多个内间隔物，在所述第一半导体纳米结构之间，且将该第一源极/漏极区与该第一栅极电极隔离，其中所述内间隔物与该第一介电阻障结构为相同材料。
5.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一底隔离结构延伸而低于该浅...
【专利技术属性】
技术研发人员：张荣宏，林志昌，陈仕承，庄宗翰，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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