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提供一种集成电路，其包括纳米结构晶体管，纳米结构晶体管包括基底上方的多个第一半导体纳米结构及与每个第一半导体纳米结构接触的源极/漏极区。集成电路包括对源极/漏极区的下部横向连接的鳍状物侧壁间隔物。集成电路亦包括底部隔离结构而将源极/漏极区与...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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