用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法技术

本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆执行浸泡工艺。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。

技术介绍

1、集成电路(ic)材料和设计的技术进步已经产生了若干代ic，其中每一代都具有比前几代更小且更复杂的电路。在ic演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积上的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

2、这种缩小还增加了加工和制造ic的复杂性，并且为实现这些进步，需要ic加工和制造的类似发展。例如，鳍式场效应晶体管(finfet)已被引入以取代平面晶体管。finfet的结构和制造finfet的方法正在开发之中。

3、finfet的形成可以包括形成长半导体鳍和长栅极堆叠，然后形成电介质区域以将长半导体鳍和长栅极堆叠切割成较短部分，使得较短部分可用作finfet的鳍和栅极堆叠。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体结构的方法，包括：蚀刻栅极堆叠以形成沟槽；沉积延伸至所述沟槽中的氮化硅衬垫；以及在所述氮化硅衬垫上沉积氧化硅层，沉积所述氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括氮气N2和氢气H2。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括氨NH3。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述工艺气体包括氨和氢H2两者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理工艺包括用含NH的基团替换所述沟槽的沟槽顶部处的OH基团。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，从所述沟槽的沟槽底部到所述沟槽顶部，替换率逐渐增加，其中，所述替换率为用NH2基团替换所述OH基团的百分比。

7.根据权利要求6所述的方...

【技术特征摘要】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括氮气n2和氢气h2。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括氨nh3。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述工艺气体包括氨和氢h2两者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理工艺包括用含nh的基团替换所述沟槽的沟槽顶部处的oh基团。

6.根据权利要求5所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭玳榕，施伯铮，谢宛蓁，吴振诚，林嘉慧，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：