【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于纳米片保护的电介质层及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机、和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上按顺序沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
2、半导体行业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定面积中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了需要解决的其它问题。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出半导体堆叠，所述半导体堆叠包括：多个牺牲层；以及多个纳米结构，其中，所述多个牺牲层和所述多个纳米结构交替布置；在所述突出半导体堆叠的侧壁和顶表面上沉积电介质层，其中，所述电介质层包括：下子层；以及上子层，在所述下子层之上，其中，所述下子层和所述上子层包括不同的电介质材料；在所述电介...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层中的第一者被形成为非共形层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层中的非共形的所述第一者是使用原子层沉积来形成的。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层中的第二者也是使用原子层沉积来形成的，并且所述下子层和所述上子层中的所述第二者是共形层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层两者都具有等于侧壁厚度的顶部厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层中的第一者被形成为非共形层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层中的非共形的所述第一者是使用原子层沉积来形成的。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层中的第二者也是使用原子层沉积来形成的，并且所述下子层和所述上子层中的所述第二者是共形层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下子层和所述上子层两者都...
【专利技术属性】
技术研发人员：林政颐，陈书涵，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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