【技术实现步骤摘要】
本揭露关于半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机及其他电子设备。通常通过在半导体基板之上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体材料层且使用微影术对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件及元件，来制造半导体装置。
2、半导体行业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，这允许将更多组件整合至给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应当解决的额外问题。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置的制造方法包含以下步骤：在一基板之上由一第一材料形成多个第一纳米结构；在该基板之上由不同于该第一材料的一第二材料形成多个第二纳米结构，其中所述多个第一纳米结构及所述多个第二纳米结构在该基板上方垂直地交替；去除所述多个第一纳米结构；在去除所述多个第一纳米结构之后，在所述多个第二纳米结构之间形成一中介层；在形成该中介层之后，形成一第一源极/漏极区域在该基板之上且与所述多个第二纳米结构直接物理接触；以及去除该中介层，从而曝露所述多个第二纳米结构中的每一者的表面。
2、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置的制造方法包含以下步骤：在一基板之上形成一多层堆叠，该多层堆叠包含：一第一半导体材料；以及不同于该第一半导体材料的一第二半导体材料，其中该第一半导体材料及该第二半导体材料在该多层堆叠内的交替层中；由该第一半导体材料形成第一组纳米结构；由该第二
3、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置的制造方法包含以下步骤：在一半导体鳍片之上形成一第一纳米结构堆叠，该第一纳米结构堆叠包含：由硅锗形成的多个第一纳米结构；以及由硅形成的多个第二纳米结构，其中所述多个第一纳米结构及所述多个第二纳米结构在该第一纳米结构堆叠内交替；执行一第一蚀刻工艺以去除所述多个第一纳米结构；在所述多个第二纳米结构之间形成一中介层；在形成该中介层的该步骤之后，在该半导体鳍片之上且邻近于所述多个第二纳米结构生长一第一源极/漏极区域；去除该中介层；在去除该中介层的该步骤之后，围绕所述多个第二纳米结构中的所述多个纳米结构中的每一者形成多个栅极介电层；以及形成一连续的栅电极围绕所述多个栅极介电层。
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1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该中介层的步骤包含以下步骤：至少部分地通过一轮廓可流动化学气相沉积(c-FCVD)工艺沉积该中介层，该中介层涂覆该基板的曝露表面、所述多个第二纳米结构中的每一者的侧壁且横向填充在所述多个第二纳米结构中的每一者之间以及在所述多个第二纳米结构中的一最底部第二纳米结构与该基板之间的缝隙。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该c-FCVD工艺使用三硅烷胺作为一前驱物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：在一紫外线固化工艺期间将臭氧引入至该中介层，从而使该中介层的一部分致密化。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：对该中介层执行一硫酸-过氧化氢混合物工艺。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：对该中介层执行一炉退火工艺，该炉退火工艺利用蒸汽。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，其中该中介层包含氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该中介层的步骤包含以下步骤：至少部分地通过一轮廓可流动化学气相沉积(c-fcvd)工艺沉积该中介层，该中介层涂覆该基板的曝露表面、所述多个第二纳米结构中的每一者的侧壁且横向填充在所述多个第二纳米结构中的每一者之间以及在所述多个第二纳米结构中的一最底部第二纳米结构与该基板之间的缝隙。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该c-fcvd工艺使用三硅烷胺作为一前驱物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：在一紫外线固化工艺期间将臭氧引入至该中介层，从而...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈佑珉，李宗霖，朱珈禾，林颂恩，薛森鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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