【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种半导体装置及记忆体装置，特别是关于一种包含记忆体单元的半导体装置及记忆体装置。
技术介绍
1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度的持续优化，半导体产业已经历指数成长。最重要的部分是，集成密度的优化是来自最小特征尺寸的重复缩减，其使得更多元件可被整合至特定面积中。
技术实现思路
1、本揭露的一态样是提供一种半导体装置。半导体装置包含沿着第一侧向方向延伸的第一字元线结构，其中第一字元线结构具有中心部分及一对侧部部分，且第一字元线结构的此对侧部部分分别自第一字元线的中心部分沿着第二侧向方向向外延伸。半导体装置包含设置在第一字元线结构上的铁电层。半导体装置包含设置在铁电层上，并沿着第一侧向方向彼此分开的多个第一通道膜。半导体装置包含沿着第一侧向方向彼此分开的多个第一源极线结构，其中第一源极线结构的每一者设置在第一通道膜的对应一者上。半导体装置包含沿着第一侧向方向彼此分开的多个第一位元线结构，其中第一位元线结构的每一者是设置在第一通道膜的对应一者上。
2、本揭露的另一态样是提供一种半导体装置。半导体装置包含排列在一基材上的多个铁电记忆体单元。铁电记忆体单元的每一者包含：沿着第一侧向方向延伸且具有中心部分及一对侧部部分的第一导电结构，侧部部分分别自中心部分沿着垂直于第一侧向方向的第二侧向方向向外延伸；设置在第一导电结构上，并接触第一导电结构的中心部分的铁电层；设置在铁电层的部分上的通道膜；设置在通道膜上并接触通道膜的第二导电结构；以及设置
3、本揭露的再一态样是提供一种记忆体装置。记忆体装置包含沿着第一侧向方向延伸的字元线结构。字元线结构具有中心部分及一对侧部部分，侧部部分分别自中心部分沿着垂直于第一侧向方向的第二侧向方向向外延伸。记忆体装置包含在字元线结构上的铁电层；在铁电层上的彼此分开的多个第一通道膜；以及在第一通道膜上的多个源极线结构及多个字元线结构。多个第一通道膜的每一者接触源极线结构的对应一者及位元线结构的对应一者。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一介电结构及该第二介电结构分别接触该中心部分的多个侧壁的多个第一部分，且该第三介电结构及该第四介电结构分别接触该中心部分的所述多个侧壁的多个第二部分。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，其中该铁电层亦设置在所述多个第二通道膜及该第二字元线结构之间。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
7.一种半导体装置，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该对侧部部分的每一者的一侧壁是自一方向倾斜，且该方向垂直于该第一侧向方向及该第二侧向方向。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该对侧部部分的每一者的一侧壁具有一弯曲轮廓。
10.一种记忆体装置，其特征在于，包含：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一介电结构及该第二介电结构分别接触该中心部分的多个侧壁的多个第一部分，且该第三介电结构及该第四介电结构分别接触该中心部分的所述多个侧壁的多个第二部分。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，其中该铁电层亦设置在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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