电阻式存储器器件及其制造方法技术

电阻式存储器器件包括设置在底部电极和到达存储器器件的底部电接触件之间的超薄阻挡层。超薄阻挡层可以将电阻式存储器元件的总台阶高度降低15％或更多，包括高达约20％或更多。超薄阻挡层的使用可另外将部分位于存储器元件下方并在存储器元件之间延伸的介电蚀刻停止层的厚度均匀性提高至少约15％。超薄阻挡层的使用可导致改进的可制造性并为电阻式存储器器件提供降低的成本和更高的产量，并且可促进电阻式存储器器件在先进技术节点中的集成。本申请的实施例还提供了制造电阻式存储器器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及电阻式存储器器件及其制造方法。

技术介绍

1、电阻式存储器器件使用可以提供至少两种电阻状态的存储器元件。不同的电阻状态可以提供不同水平的电气电阻。新兴的电阻式存储器器件技术的示例是电阻式随机存取存储器(rram或reram)。reram器件是非易失性存储器器件，它通过改变固态介电材料的电阻来操作。随着电阻增加并阻止电流流向节点，存储器状态可以指示“关断”或“0”状态。相反，随着电阻降低，电流可以流动并且可能指示“接通”或“1”状态。其他利用类似电阻开关原理的新兴非易失性存储器技术包括相变存储器(pcm)、磁阻式随机存取存储器(mram)、导电桥式ram(cbram)和碳纳米管(cnt)存储器。这些新兴技术通常被认为是闪存存储器的潜在替代品。然而，迄今为止还没有广泛采用这些技术。对电阻式存储器技术的改进存在持续的需要。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种电阻式存储器器件，包括：金属部件；阻挡层，位于金属部件上方具有6nm或更小的厚度；底部电极，位于阻挡层上方；切换层，位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻式存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中，所述阻挡层包括被配置为防止所述金属部件的材料扩散到所述底部电极中的导电氧化物、氮化物和/或氮氧化物材料。

3.根据权利要求2所述的电阻式存储器器件，其中，所述切换层包括在高阻态与低阻态之间可切换的固态介电材料。

4.根据权利要求3所述的电阻式存储器器件，还包括：

5.根据权利要求4所述的电阻式存储器器件，其中，所述阻挡层还包括至少一个垂直部分，所述至少一个垂直部分沿着穿过所述第二介电材料层的所述开口的侧壁延伸。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储器...

【技术特征摘要】

1.一种电阻式存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中，所述阻挡层包括被配置为防止所述金属部件的材料扩散到所述底部电极中的导电氧化物、氮化物和/或氮氧化物材料。

3.根据权利要求2所述的电阻式存储器器件，其中，所述切换层包括在高阻态与低阻态之间可切换的固态介电材料。

4.根据权利要求3所述的电阻式存储器器件，还包括：

5.根据权利要求4所述的电阻式存储器器件，其中，所述阻挡层还包括至少一个垂直部分，所述至少一个垂直部分沿着穿过所述第二介电材料层的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈侠威，张智翔，廖钰文，朱文定，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：