光阻剂溶液、使用光阻剂溶液的方法及改良光阻剂效能的方法技术

本揭露揭示一种光阻剂溶液、使用光阻剂溶液的方法及改良光阻剂效能的方法，尤其是用于减小使一金属光阻剂显影需要的辐射剂量的方法及材料。在显影期间，该金属光阻剂曝露至一添加剂，该添加剂包含(i)具有一或多个取代基的一个芳族基，该一或多个取代基具有至少一个饱和末端基；或(ii)经由一键联部分键联在一起的多个芳族基。接线解析度亦获得改良。

【技术实现步骤摘要】

本揭露关于光阻剂溶液、使用光阻剂溶液的方法及改良光阻剂效能的方法。

技术介绍

1、集成电路形成于半导体晶圆上。光学微影图案化工艺使用紫外光来将所要遮罩图案转印至半导体晶圆上的光阻剂。蚀刻工艺可接着用以将图案转印至光阻剂下面的层。此工艺由不同图案重复多次以在晶圆基板上建制不同层且制造有用装置。

2、集成电路需要高解析度微影工艺以获得较小特征尺寸。一个此类工艺的实例为极紫外线微影工艺，其使用约10纳米(nm)至约100nm的波长。微影工艺需要进一步的改良。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种使用光阻剂溶液的方法包含：通过包含一金属光阻剂的一光阻剂溶液涂布一基板；预烘烤该经涂布基板以使该光阻剂溶液固化且形成一光阻剂层；使该光阻剂层曝露至辐射以使该光阻剂层图案化；视需要执行该经涂布基板的一曝露后烘烤；使用一显影剂使该图案化光阻剂层显影；视需要硬式烘烤该经图案化光阻剂层；及蚀刻穿过该图案化光阻剂层以获得一经图案化材料层；其中(a)该光阻剂溶液或该显影剂包含一添加剂，或(b)该经涂布基板在该涂布、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种使用光阻剂溶液的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该添加剂具有如下式(1)的结构：

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中Ar为苯基、萘基或菲基。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中每一x为零；或其中n为1或2。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中每一R通过氢或卤素饱和。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该添加剂具有小于220的一分子量。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该添加剂包含甲苯、二甲苯、丙苯、2-乙基甲苯、4-异丙...

【技术特征摘要】

1.一种使用光阻剂溶液的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该添加剂具有如下式(1)的结构：

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中ar为苯基、萘基或菲基。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中每一x为零；或其中n为1或2。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中每一r通过氢或卤素饱和。

6.如权利要求2所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，李蕙君，李邦鼎，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：