【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体元件结构，特别是关于一种可降低结构应力的半导体元件结构及其制造方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)工业已经历指数式成长。集成电路的材料及设计的技术性进步已产生数代集成电路，其中每一代皆具有比前一代更小且更复杂的电路。在集成电路进化过程中，功能密度(例如，每晶片区域中内连接元件的数目)已普遍增大，而几何形状尺寸(例如，使用制造工艺所能产生的最小组件(或线))已减小。此缩小尺寸过程通常通过增加生产效率且降低相关的成本来提供益处。然而，此尺寸缩小亦导致在较大几何尺寸的先前世代中未曾出现的挑战。
技术实现思路
1、本揭露的一态样是有关于一种半导体元件结构，包含：内连接结构、第一导电特征、介电层、第二导电特征及粘合层，其中内连接结构是设置于基材上，第一导电特征是设置于内连接结构中，介电层是设置于内连接结构上，第二导电特征具有顶部分及底部分，顶部分是设置于介电层上面，且底部分是贯穿介电层设置，且粘合层是设置于介电层及第二导电特征上，粘合层包含第一部分及第二部分，第一部分是设置在第二导电特征的顶部分上，第二部分是设置在介电层上，第一部分具有厚度，第二部分具有宽度，且宽度实质是大于该厚度。
2、本揭露的另一态样是有关于一种半导体元件结构，包含内连接结构、第一导电特征、介电层及第二导电特征。内连接结构是设置于基材上。第一导电特征是设置于内连接结构中。介电层是设置于内连接结构上。第二导电特征具有线部分及通孔部分，其中线部
3、本揭露的再一态样是有关于一种半导体元件结构，包含内连接结构、第一导电特征、介电层、阻障层、第二导电特征、粘合层、蚀刻停止层及介电材料层。内连接结构是设置于基材上。第一导电特征是设置于内连接结构中。介电层是设置于内连接结构上。阻障层是设置于介电层上。第二导电特征是设置于阻障层上，其中第二导电特征具有顶部分及底部分，其中顶部分是设置于介电层上面，且底部分是贯穿介电层设置。粘合层是设置于第二导电特征上，其中粘合层包含第一部分及第二部分，且粘合层的第一部分的厚度实质是小于粘合层的第二部分的宽度。粘合层的第一部分是设置于第二导电特征上，且粘合层的第二部分是相邻于阻障层。蚀刻停止层是设置于粘合层上。介电材料层是设置于蚀刻停止层上。
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1.一种半导体元件结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一金属绝缘层金属结构，其中该金属绝缘层金属结构是设置于该介电层上。
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一钝化层，其中该钝化层是设置在该金属绝缘层金属结构上，且该粘合层是设置于该钝化层上。
4.如权利要求1至权利要求3任一项所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一蚀刻停止层及一介电材料层，其中该蚀刻停止层是设置在该粘合层上，且该介电材料层是设置在该蚀刻停止层上。
5.一种半导体元件结构，其特征在于，包含：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一阻障层，其中该基脚部分是设置在该阻障层上。
7.如权利要求6所述的半导体元件结构，其特征在于，其中该第二导电特征的该线部分的该顶部分具有一第一侧面，且该第一侧面实质是垂直于该阻障层的一顶面。
8.如权利要求5至权利要求7任一项所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一金属绝缘层金属结构，其中该金属绝缘层金属结构是设置于
9.一种半导体元件结构，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的半导体元件结构，其特征在于，其中该粘合层的一顶面为平坦。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一金属绝缘层金属结构，其中该金属绝缘层金属结构是设置于该介电层上。
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一钝化层，其中该钝化层是设置在该金属绝缘层金属结构上，且该粘合层是设置于该钝化层上。
4.如权利要求1至权利要求3任一项所述的半导体元件结构，其特征在于，还包含一蚀刻停止层及一介电材料层，其中该蚀刻停止层是设置在该粘合层上，且该介电材料层是设置在该蚀刻停止层上。
5.一种半导体元件结构，其特征在于，包含：...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭良轩，吕志弘，王智麟，李松柏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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