【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及具有低压操作和静电放电保护的后驱动器。
技术介绍
1、集成电路(ic)越来越多封装于将多个裸片集成于单个封装中以提高密度及性能的所谓的2.5d及3d结构中。尽管此封装中高速输入/输出(i/o)接口的密度提高性能，但过热会变成问题。减少热的一种方式是使用低压后驱动器。然而，能够低压操作的后驱动器结构通常增加静电放电(esd)事件损坏ic的组件的风险。
技术实现思路
1、本技术的实施例涉及一种后驱动器结构，其包括：驱动单元，其包含上拉驱动器及下拉驱动器；垫，其经配置以连接到外部电阻；输出节点，其连接于所述上拉驱动器与所述下拉驱动器之间，所述输出节点经配置以连接到比较器用于所述驱动单元的阻抗校准；及运算放大器，其依闭环配置连接到第一晶体管及的所述垫，所述运算放大器进一步连接到第二晶体管以在所述运算放大器与所述驱动单元之间形成电流镜电路，其中所述电流镜电路用所述输出节点处的电压复制所述垫处的电压用于所述阻抗校准。
2、本技术的实施例涉及一种用于后驱动器的校准电路系统，所述校准电路系统包括：驱动单元；比较器，其经配置以从所述第一驱动单元接收输入电压且接收参考电压来与所述输入电压比较以用于所述第一驱动单元的阻抗校准；垫，其连接到外部电阻；及电流镜电路，其包含依闭环配置连接到第一晶体管及所述垫的运算放大器，其中所述电流镜电路用所述输入电压复制所述垫处的电压用于所述阻抗校准。
3、本技术的实施例涉及一种校准后驱动器的方法，其包括：将驱动单元的输出节点连接到比
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1.一种后驱动器结构，其特征在于其包括：
2.根据权利要求1所述的后驱动器结构，其特征在于所述驱动单元连接于电源供应器VDDQ与接地之间的低压域中。
3.根据权利要求1所述的后驱动器结构，其特征在于进一步包括经连接到所述第二晶体管的等效二极管晶体管。
4.根据权利要求3所述的后驱动器结构，其特征在于所述等效二极管晶体管的栅极连接到所述驱动单元。
5.根据权利要求3所述的后驱动器结构，其特征在于所述第一晶体管及所述第二晶体管包括PMOS晶体管，且所述等效二极管晶体管包括NMOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的后驱动器结构，其特征在于所述运算放大器的输出连接到所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。
7.一种用于后驱动器的校准电路系统，其特征在于所述校准电路系统包括：
8.根据权利要求7所述的校准电路系统，其特征在于进一步包括：
9.根据权利要求8所述的校准电路系统，其特征在于所述驱动单元及所述第二驱动单元连接于电源供应器VDDQ与接地之间的低压域中。
10.根据权利要求9所述
...【技术特征摘要】
1.一种后驱动器结构，其特征在于其包括：
2.根据权利要求1所述的后驱动器结构，其特征在于所述驱动单元连接于电源供应器vddq与接地之间的低压域中。
3.根据权利要求1所述的后驱动器结构，其特征在于进一步包括经连接到所述第二晶体管的等效二极管晶体管。
4.根据权利要求3所述的后驱动器结构，其特征在于所述等效二极管晶体管的栅极连接到所述驱动单元。
5.根据权利要求3所述的后驱动器结构，其特征在于所述第一晶体管及所述第二晶体管包括pmos晶体管，且所述等效二极管晶体管包括nmos...
【专利技术属性】
技术研发人员：温清华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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