制造凸块或柱的方法和半导体器件技术

在制造凸块或柱的方法中，在衬底上方形成凸块下导电层，在凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层，在第一开口和第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块，去除第一光刻胶层，在第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层，在第三开口中的第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于第一低凸块高的高度的高凸块，以及去除第二光刻胶层。本发明专利技术的实施例还涉及半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及制造凸块或柱的方法和半导体器件。

技术介绍

1、最近已经开发了微电子机械系统(mems)器件。mems器件包括使用半导体技术制造的器件以形成机械和电子部件。mems器件实现在压力传感器、麦克风、致动器、镜像、加热器和/或打印机喷嘴中。虽然用于形成mems器件的现有器件和方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

技术实现思路

1、本专利技术的实施例提供了一种制造凸块或柱的方法，包括：在衬底上方形成凸块下导电层；在所述凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层；在所述第一开口和所述第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块；去除所述第一光刻胶层；在所述第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层；在所述第三开口中的所述第二低凸块上形成第二导电层，以形成具有大于所述第一低凸块的高度的高凸块；以及去除所述第二光刻胶层。

2、本专利技术的另一实施例提供了一种制造凸块或柱的方法，包括：在衬底上方形成焊盘电极；在所述焊盘电极上方形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸块下导电层设置在焊盘电极上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述凸块下导电层的顶部测量的所述第一高度在从30μm至100μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二凸块结构，其中：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三凸块结构，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三凸块由与所述第一凸块和所述第二凸块不同的材料制成，并且第三高度小于第一高度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸块下导电层设置在焊盘电极上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述凸块下导电层的顶部测量的所述第一高度在从30μm至100μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二凸块结构，其中：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三凸块结构，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三凸块由与所述第一凸块和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴凯第，郑明达，吕文雄，杨挺立，林素妃，刘旭伦，李明机，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：