【技术实现步骤摘要】
本技术是有关于一种内存装置。
技术介绍
1、铁电场效晶体管(ferroelectric field effect transistor，fefet)是包括铁电层的场效晶体管，所述铁电层夹置于装置的栅极电极与源极/漏极区之间。fefet型装置可用于fefet内存中一种单晶体管二进制非挥发性内存。fefet型装置由于其功率要求低、尺寸小且写入/读取操作快速而成为下一代非挥发性内存应用的有前景候选。然而已发现，采用氧化物半导体作为通道材料的fefet型内存装置(尤其是铁电随机存取内存(ferroelectric random-access memory，feram))难以在铁电层两端获得均匀电场(在程序化及抹除操作期间实现铁电层的恰当极化切换需要所述均匀电场)。此乃是由于与氧化物半导体的性质相关联的宽带隙将导致所述氧化物半导体中缺乏足够的电洞载子。当氧化物半导体通道中的电洞载子不足时，施加至栅极电极的负电压只能在铁电层中感应低电场。因此，无法触发氧化物半导体通道区处的铁电层中的全极化切换，进而导致在抹除操作期间抹除效率较低。
2、因此，需要改良的fefet型内存装置及其形成方法。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种内存装置，包括：栅极电极，设置于绝缘材料层中；铁电介电层，设置于所述栅极电极之上；金属氧化物半导体层，设置于所述铁电介电层之上；源极特征，设置于所述金属氧化物半导体层之上，其中所述源极特征具有第一尺寸；以及源极延伸部。所述源极延伸部包括设置于所述源极特征之上的第
2、本技术实施例提供一种内存装置。所述内存装置包括：源极特征，具有侧壁及底表面；源极延伸部，包括第一部分及第二部分，所述第二部分与所述第一部分整合在一起且位于所述第一部分之上，其中所述源极延伸部具有外表面、底表面及自所述外表面向内延伸的切口，且所述切口环绕所述源极特征的至少三个侧壁。所述内存装置也包括被设置成与所述源极延伸部相邻的漏极特征，所述漏极特征具有侧壁及底表面。
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1.一种内存装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，所述源极特征具有第一形状，且所述源极延伸部具有与所述第一形状不同的第二形状。
4.根据权利要求2所述的内存装置，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求2所述的内存装置，其特征在于，还包括：
6.一种内存装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的内存装置，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的内存装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求6所述的内存装置，其特征在于，所述外表面具有修圆形状，且所述源极特征及所述漏极特征中的每一者具有四边形形状。
10.根据权利要求7所述的内存装置，其特征在于，所述第一部分的一部分与所述源极特征交叠，且所述第二胶层的一部分设置于所述第一部分与所述源极特征的顶表面之间且与所述第一部分及所述源极特征的所述顶表面接触。
【技术特征摘要】
1.一种内存装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，所述源极特征具有第一形状，且所述源极延伸部具有与所述第一形状不同的第二形状。
4.根据权利要求2所述的内存装置，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求2所述的内存装置，其特征在于，还包括：
6.一种内存装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：李泓纬，游佳达，张志宇，吕文琳，邱于建，郑雅云，马礼修，杨世海，林佑明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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