【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种集成电路。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)产业已历经指数性的成长。ic材料与设计的技术进步已生产出几代的ic，每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在ic产业的发展过程中，随着几何尺寸(例如，可使用制造过程建立的最小部件(或线))变小，功能密度(例如，每一晶片面积的互连装置的数量)普遍上升。这种尺度缩小的过程通常可通过提高生产效率和降低相关成本来提供效益。尺度缩小也增加制造与生产ic的复杂性。
2、在半导体装置中，形成于深沟槽中的电容器(例如，深沟槽电容器(deep trenchcapacitor；dtc))被广泛应用于诸如记忆体和逻辑电路等电子产品中，为各种集成电路增加电容。举例来说，dtc可用作基于动态随机存取记忆体(dynamic random access memory；dram)单元的储存电容器。在另一示例中，dtc可以是滤波电路的一部分、调节器电路的一部分及/或去耦电路的一部分。通常通过蚀刻深沟槽至基材中，并在沟槽中/上方形成电容器结构而形成dtc。...
【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中：
3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，其中该第一偏移量是介于1/3的该长度至2/3的该长度之间。
4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，其中：
5.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，其中该电荷储存装置还包含：
6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，其中该第二偏移量是介于该第一偏移量至2/3的该长度之间。
7.如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，其中该电荷储存装置还包含：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中：
3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，其中该第一偏移量是介于1/3的该长度至2/3的该长度之间。
4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，其中：
5.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，其中该电荷储存装置还包含：
【专利技术属性】
技术研发人员：林明勳，林均颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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