阱等离子体诱导损伤保护电路以及制造半导体器件的方法技术

一种阱等离子体诱导损伤保护电路，包括衬底、衬底上并包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的p阱区、衬底上且包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的n阱区、保护金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极/源极区，以及至少一个控制电路。第一导电连接件将所选择的漏极/源极区连接到p阱区和n阱区、第二导电连接件将选择的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管彼此连接、以及第三导电连接件，并且第三导电连接件被配置为将保护金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接到至少一个控制电路。本申请的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及阱等离子体诱导损伤保护电路以及制造半导体器件的方法。

技术介绍

1、等离子体工艺在半导体制造中起着至关重要的作用。等离子体用于诸如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、包括等离子体干蚀刻的等离子体蚀刻以及等离子体清洁的工艺中。等离子体诱导损伤(pid，plasma induced damage)是设计金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的一个关键问题，因为pid可能会增加电路退化和可变性。

2、pid是所有工艺代面临的可靠性问题。已经建立了工艺规则来避免一些pid风险，诸如金属pid风险。然而，阱pid在若干工艺节点和一些设计(例如包括具有不同阱尺寸的阱的工艺节点和设计)中已经成为问题。已经提出了各种器件作为阱pid的解决方案，但很难实现阱pid的器件级解决方案，其中尚没有解决方案满足所有直流(dc)、静电放电(esd)和/或pid情况。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种阱pid保护电路，包括：衬底；p阱区，位于衬底上方，并且包括n沟道金属氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阱等离子体诱导损伤保护电路，包括：

2.根据权利要求1所述的阱等离子体诱导损伤保护电路，其中，所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的一个的栅极浮置，以通过所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的所述一个对累积的电荷进行放电，并且所述至少一个控制电路连接到所述栅极，以在所述阱等离子体诱导损伤保护电路的操作期间偏置关断所述保护用金属氧化物半导体场效应晶体管中的一个。

3.根据权利要求2所述的阱等离子体诱导损伤保护电路，其中，所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的所述一个的第一漏极/源极区连接到所述p阱区中的一个或所述n阱区中的一个，并且所述保护金属氧化物半...

【技术特征摘要】

1.一种阱等离子体诱导损伤保护电路，包括：

2.根据权利要求1所述的阱等离子体诱导损伤保护电路，其中，所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的一个的栅极浮置，以通过所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的所述一个对累积的电荷进行放电，并且所述至少一个控制电路连接到所述栅极，以在所述阱等离子体诱导损伤保护电路的操作期间偏置关断所述保护用金属氧化物半导体场效应晶体管中的一个。

3.根据权利要求2所述的阱等离子体诱导损伤保护电路，其中，所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的所述一个的第一漏极/源极区连接到所述p阱区中的一个或所述n阱区中的一个，并且所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的所述一个的第二漏极/源极区连接到所述衬底。

4.根据权利要求2所述的阱等离子体诱导损伤保护电路，其中，所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的一个的第一漏极/源极区连接到所述p阱区中的一个或所述n阱区中的一个，并且所述保护金属氧化物半导体场效应晶体管中的所述一个的第二漏极/源极区连接到所述第二导电连接件中的一个。

5.根据权利要求1所述的阱等...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉麟，苏郁迪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：