【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及制造半导体器件的方法以及自由基处理系统，自由基处理系统用于半导体领域。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了几代ic，其中每一代都比前一代具有更小、更复杂的电路。在ic发展的过程中，通常是功能密度(即每个芯片区域的互连器件的数量)增加了，而几何尺寸(即可以使用制造工艺产生的最小部件(或者导线))却减小了。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供收益。这种按比例缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。
2、例如，半导体制造不可避免地涉及沉积介电材料，然后对所沉积的介电材料进行回蚀或者平坦化。在一些现有技术中，沉积态的介电材料可能不具有用以提供可预测的蚀刻或者平坦化的速率所需的密度或者均匀性。作为补救措施，沉积态的介电材料可以经历退火工艺。虽然这些退火工艺显示为可以有效地提高介电材料的质量，并且已经广泛采用，但是其可能会增加热预算，甚至影响在退火工艺之前已经制造的结构的电气性能。因此，需要一种方法，可以在不显著增加热预算或者影响现有结构的...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料包括硅和氧。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气态物质包括氢或者氧。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述超临界流体包括超临界二氧化碳。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述超临界流体包括介于100°C和约200℃之间的温度。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述超临界流体包括在约100大气压和约200大气压之间的压力。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料的所述厚度的所述减小包括
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料包括硅和氧。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气态物质包括氢或者氧。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述超临界流体包括超临界二氧化碳。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述超临界流体包括介于100°c和约200℃之间的温度。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：林政明，陈思桦，佐野谦一，温伟源，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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