本发明提供了一种晶圆关键尺寸的补偿方法、装置及制造系统，该方法包括：获取前批晶圆产品的前批曝光能量值、前批曝光焦距和前批关键尺寸值；监测得到前批晶圆的光阻膜厚；当所述前批关键尺寸值不满足设定阈值时，利用所述光阻膜厚与晶圆的关键尺寸的对应...

本发明公开了一种离子注入后残留光刻胶的去除方法及半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括：获取以光刻胶为掩膜进行离子注入后形成的前驱体；光刻胶表面形成有壳层；通过第一反应气体与壳层反应，去除壳层；第一反应气体为包括氢气的混合气体；通过...

本发明公开了一种背照式设备中衬垫的制备方法及背照式设备，应用于集成电路技术领域，包括：在导电层表面设置抗刻蚀层，制成前驱体；抗刻蚀层填入凹槽；对前驱体整个表面进行刻蚀，暴露衬底表面的导电层，同时保留凹槽内的抗刻蚀层；对暴露导电层的前驱体...

本申请涉及晶圆加工领域，公开了一种晶圆加工方法和晶圆键合结构，包括制备预制晶圆结构体，预制晶圆结构体包括叠层膜结构，叠层膜结构包括第一区域和第二区域，叠层膜结构包括第一介质层，第一介质层中第一区域形成有第一沟槽，第一介质层中第二区域形成...

本申请提供一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，点接触角对角图形分别与原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；根据点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；将...

本发明公开了一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法及装置，通过计算当前次迭代的参数控制范围和之前各次迭代的参数控制范围在选值范围坐标上投影形成的空间重叠区间，以及各空间重叠区间在选值范围坐标上的空间重叠次数，按空间重叠次数由少到多，对各...

本实用新型提供一种半导体设备的补液系统，包括：主补液槽、辅补液槽、通液阀和供液装置；所述主补液槽和所述辅补液槽均用于容纳冷却液；所述主补液槽、所述辅补液槽和所述供液装置均与所述通液阀连接；所述主补液槽与所述供液装置相连通时，所述辅补液槽...

本发明公开了一种铜互连结构形成方法，包括：在衬底上形成第一层间介质层，在所述第一层间介质层中形成表面露出的第一铜互连线；执行还原处理，将在露出的所述第一铜互连线表面上形成的铜氧化物还原为铜；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，并在...

本实用新型提供了一种平行度检测装置，包括：载体、测距模块和输出模块；所述载体用于放置在加热器上；至少三个测距模块分散设置于所述载体，所述测距模块与所述载体之间可活动连接；所述测距模块包括相互连接的激光单元和接收单元；所述激光单元发出激光...

本发明提供了一种去除干法刻蚀中聚合物的方法，包括在硬掩模刻蚀过程中，在初始温度下采用含有CF基的气体对所述硬掩模进行刻蚀；在所述硬掩模刻蚀之后对所述硬掩模进行过刻蚀，在所述硬掩模过刻蚀过程中，将所述初始温度调整至目标温度，使得所述硬掩模...

本发明公开了一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质，应用于缺陷检测领域，该方法包括：基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；利用温度...

本发明提供了一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器，该方法包括：提供半导体衬底，形成位于半导体衬底中的金属互连层；形成位于半导体衬底上的阻挡层和第一介质层；刻蚀第一介质层，形成沟槽阵列，沟槽阵列包括位于第一区域的电容沟槽和位于第二区域的电...

本发明提供了一种挡板升降装置及化学机械研磨设备，该挡板升降装置包括：基座开设有安装槽；伸缩机构设于安装槽内，伸缩机构具有伸缩端，伸缩端可伸出安装槽；防护罩一端为套设口，另一端为连接部，防护罩可通过套设口套设于基座，且伸缩机构的伸缩端与连...

本发明公开了一种用于改善湿法刻蚀表面均匀性的装置、清洗设备及方法，装置包括：多个喷嘴模块，分别设有一至多个第一喷嘴，各第一喷嘴沿处理对象的径向依次排列，且与处理对象的圆周上下对应；与喷嘴模块一一对应连接的多个循环管路模块，每个循环管路模...

本发明提供了一种闪存测试切换电路，包括正高压电荷泵测试输出电路和负高压电荷泵测试输出电路，所述负高压电荷泵测试输出电路的输出端与所述正高压电荷泵测试输出电路的输出端复用一个IO接口，减少了IO接口的数量，降低了成本。低了成本。低了成本。

本实用新型提供了一种灯箱传动装置和晶圆处理设备，所述装置包括：马达、传动带和转轮；所述转轮设于晶圆处理腔的顶侧，用于承载灯箱；所述传动带呈环形套设于所述马达的主轴外侧和所述转轮外侧；所述主轴用于驱动所述传动带运转，所述传动带用于驱动所述...

本申请提供一种场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质，该方法包括：确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流，所述源体结反向电流为所述场效应管器件的体端对源极的电流，所述漏体结反向电流为所述场效应管器件的体端对漏极的电流；根...

本实用新型提供了一种隔离阀，应用于干法刻蚀设备中，所述隔离阀包括本体、分子泵连接件、气柜连接件、压缩空气连接件和弹簧，所述弹簧设置于所述本体内，所述分子泵连接件与所述本体的一端部连接，所述气柜连接件与所述本体的侧壁连接，所述压缩空气连接...

本实用新型提供了一种喷淋头，包括：分流板组和框架；所述分流板组包括第一分流板和第二分流板；所述第一分流板和所述第二分流板均开设有若干第一分流孔；所述第一分流板和所述第二分流板设置的第一分流孔的孔径不同或孔隙密度不同，以使气体经过所述第一...

本实用新型提供了一种晶圆校正装置，包括：驱动模块、推压模块和检测模块；所述检测模块设于晶圆传送盒的至少一端，用于检测偏离预设位置的目标晶圆；所述驱动模块与所述推压模块连接，用于驱动所述推压模块运动；所述推压模块设于所述晶圆传送盒的旁侧，...