一种离子注入后残留光刻胶的去除方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种离子注入后残留光刻胶的去除方法及半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括：获取以光刻胶为掩膜进行离子注入后形成的前驱体；光刻胶表面形成有壳层；通过第一反应气体与壳层反应，去除壳层；第一反应气体为包括氢气的混合气体；通过第二反应气体与去除壳层后的光刻胶反应，去除光刻胶；第一反应气体中氢气的体积含量大于第二反应气体中氢气的体积含量。通过具有较高氢气含量的第一反应气体专门去除光刻胶表面形成的壳层，由于壳层中存在大量的碳

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入后残留光刻胶的去除方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种离子注入后残留光刻胶的去除方法以及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]灰化工艺是指在射频或者微波作用下，氧气电离成氧等离子体，等离子体中的氧自由基使光刻胶中的有机成分燃烧成可挥发性物质。在现阶段半导体器件的制备过程大量使用光刻工艺，而光刻工艺具体会使用光刻胶，在刻蚀或者离子注入后光刻胶就不需要了，而光刻胶通常会基于灰化工艺去除。
[0003]传统灰化反应主要以氧气O2为主，通常用于110nm以上工艺节点；但随着半导体工艺中尺寸的逐渐缩小及部分特殊制程光刻胶剂量的加大，光刻胶表面会形成致密且坚硬的壳层(Crust)，其主要由碳聚合物(C polymer)、掺杂物(dopant)、溅射Si/SiO2(sputtering Si/SiO2)组成，O2对壳层去除能力差，容易产生壳层残留物(crust residue)，所以如何提供一种可以清除壳层残留物的技术方案是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：获取以光刻胶为掩膜进行离子注入后形成的前驱体；所述光刻胶表面形成有壳层；通过第一反应气体与所述壳层反应，去除所述壳层；所述第一反应气体为包括氢气的混合气体；通过第二反应气体与去除所述壳层后的所述光刻胶反应，去除所述光刻胶；所述第一反应气体中氢气的体积含量大于所述第二反应气体中氢气的体积含量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一反应气体中氢气体积含量的取值范围为20％至50％。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括氢气和氮气，所述氢气与所述氮气分别独立存储。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二反应气体为氧气、氢气/氮气的混合气体，其中氢气和氮气混合存储。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二反应气体中氧气体积含量的取值范...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤迪，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：