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本发明公开了一种离子注入后残留光刻胶的去除方法及半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括：获取以光刻胶为掩膜进行离子注入后形成的前驱体；光刻胶表面形成有壳层；通过第一反应气体与壳层反应，去除壳层；第一反应气体为包括氢气的混合气体；通过第二...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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