钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件。其中的刻蚀工艺用于最高金属层连接的钝化层刻蚀，钝化层为层叠的多层结构，钝化层中最靠近最高金属层的材料依次是氮化钛层和氧化硅层，通过改进刻蚀工艺，使用第一刻蚀终点检测系统检测刻蚀深度，当刻蚀氧化硅层至第一预设深度时，提前切换氧化硅层刻蚀工艺为氮化钛层刻蚀工艺，起到降低碳氟聚合物在最高金属层中的注入量和注入深度的作用，进而消除或减少氟离子在最高金属层表面的析出现象，有利于减少后续的清洗操作或清洗返工，提升最高金属层表面的清洁度和美观度，保证后续打线黏合强度，延长芯片自工艺完成到封装测试的储存时间，保障制成器件的产品质量。质量。质量。

【技术实现步骤摘要】
钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件


[0001]本说明书涉及半导体
，具体涉及一种钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件。

技术介绍

[0002]功率半导体器件相较于用于逻辑电路或模拟电路的器件，因其需要承载更大的工作电流，其上的最高金属层更厚，相应的，需要更厚的钝化层进行覆盖保护。为了在刻蚀更厚的钝化层时保证生产效率，实际工艺中通常采用增加刻蚀气体流量以及提高射频功率的方式实现刻蚀速率的提升，但是这样的工艺设置会使得更多的反应副产物(即碳氟聚合物，CF
X
)注入到最高金属层的表层，不仅使得表层难于将副产物清洗干净，而且倘若芯片未能及时封装，氟离子析出并形成结晶，影响外观，部件进而需要进行清洗返工，若不能将氟离子去除干净，不利于打线黏合强度，影响制成器件的产品质量。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本说明书实施例提供一种钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件，其中的钝化层刻蚀工艺能够大幅降低氟析出结晶的概率，降低清洗难度，节省清洗返工的成本，延长芯片自工艺完成到封装测试的储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化层刻蚀工艺，其特征在于，钝化层形成于最高金属层之上，并自远离至靠近所述最高金属层的方向依次为氮化硅层、氧化硅层、氮化钛层；所述钝化层刻蚀工艺包括：使用第一刻蚀终点检测系统检测刻蚀深度，当刻蚀所述氧化硅层至第一预设深度时，切换氧化硅层刻蚀工艺为氮化钛层刻蚀工艺。2.根据权利要求1所述的钝化层刻蚀工艺，其特征在于，所述第一刻蚀终点检测系统包括IEP终点检测系统。3.根据权利要求1所述的钝化层刻蚀工艺，其特征在于，在使用所述氮化钛层刻蚀工艺的同时，向工艺气体中引入六氟化硫气体，并降低反应压力。4.根据权利要求1所述的钝化层刻蚀工艺，其特征在于，在使用所述氮化钛层刻蚀工艺的同时，减少含氟刻蚀气体的总流量。5.根据权利要求4所述的钝化层刻蚀工艺，其特征在于，降低所述氮化钛层过刻蚀工艺的射频功率，以软着陆方...

【专利技术属性】
技术研发人员：石强，沈显青，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：