半导体材料的选择性精确蚀刻制造技术

本发明专利技术描述的各种实施方案涉及用于蚀刻半导体衬底以从衬底表面去除目标材料的方法和装置。总体上，本发明专利技术描述的技术是不依赖于等离子体使用的热技术。在许多实施方案中，向反应室提供特定的气体混合物以与目标材料反应。气体混合物可包括卤素源如氟化氢(HF)、有机溶剂和/或水、添加剂和载气的组合。许多不同的材料可用于有机溶剂和/或添加剂。的材料可用于有机溶剂和/或添加剂。的材料可用于有机溶剂和/或添加剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体材料的选择性精确蚀刻
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]半导体的制造涉及许多不同种类的处理。一种类型的处理涉及在衬底的表面上沉积材料。另一种类型的处理涉及从衬底的表面蚀刻材料。在一些情况下，这些蚀刻被选择性地进行以针对衬底上的一种或更多材料来进行去除。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

[0004]本文的多种实施方案涉及用于蚀刻半导体衬底的方法和装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种蚀刻衬底的方法，所述方法包括：(a)在反应室中提供所述衬底，所述衬底包括目标材料，其将于蚀刻期间从所述衬底部分地或全部地去除；(b)在所述反应室中提供气体混合物，并将所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻衬底的方法，所述方法包括：a.在反应室中提供所述衬底，所述衬底包括目标材料，其将于蚀刻期间从所述衬底部分地或全部地去除；b.在所述反应室中提供气体混合物，并将所述衬底暴露于所述气体混合物，而所述反应室中的压强介于约0.2
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10托之间，其中所述气体混合物为汽相且包括：i.卤素源，ii.有机溶剂和/或水，iii.添加剂，以及iv.载气；以及c.提供热能至所述反应室，以驱动从所述衬底上部分地或全部地蚀刻所述目标材料的反应，其中所述衬底在蚀刻期间未暴露于等离子体。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在(b)之前，在所述反应室中提供第二气体混合物，并将所述衬底暴露于热能以及所述第二气体混合物，其中所述热能驱动所述第二气体混合物与所述目标材料之间的第二反应，以形成改性后的目标材料，且其中(c)中的所述反应蚀刻所述改性后的目标材料以因此部分地或全部地蚀刻所述目标材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括醇。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述醇包括选自由以下项组成的群组的醇：甲醇、乙醇、1
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丙醇、2
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丙醇、1
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丁醇、2
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丁醇、叔丁醇、1
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戊醇、1
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己醇、1
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庚醇、1
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辛醇、1
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壬醇、1
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癸醇及其组合。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括实验室溶剂。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述实验室溶剂选自由以下项组成的群组：乙腈、二氯甲烷、四氯化碳及其组合。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括酮。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述酮包括选自由以下项组成的群组的酮：丙酮、苯乙酮及其组合。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括水。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水不包括任何有机溶剂。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括烷烃。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述烷烃包括选自由以下项组成的群组的烷烃：戊烷、己烷、辛烷、环戊烷、环己烷及其组合。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括芳香族溶剂。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述芳香族溶剂为选自由以下项组成的群组的芳香族溶剂：甲苯和苯。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括醚。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述醚包括四氢呋喃。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂和/或水包括腈。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述腈包括乙腈。19.根据权利要求1
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18中任一项所述的方法，其中所述载气包括选自由以下项组成的
群组的气体：N2、He、Ne、Ar、Kr和Xe。20.根据权利要求1
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18中任一项所述的方法，其中所述添加剂包括杂环。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述杂环为杂环芳香族化合物。22.根据权利要求21所述的方法，其中所述杂环芳香族化合物包括选自由以下项组成的群组的杂环芳香族化合物：甲基吡啶、吡啶、吡咯、咪唑、噻吩、N
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甲基咪唑、N
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甲基吡咯烷酮、苯并咪唑、2,2
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联吡啶、吡啶二羧酸、2,6
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二甲基吡啶、4
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N,N
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二甲氨基吡啶、薁及其组合。23.根据权利要求21所述的方法，其中所述杂环为卤素取代的芳香族化合物。24.根据权利要求23所述的方法，其中所述卤素取代的芳香族化合物包括选自由以下项组成的群组的卤素取代的芳香族化合物：4
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溴吡啶、氯苯、4
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氯甲苯及氟苯。25.根据权利要求20所述的方法，其中所述杂环为杂环脂肪族化合物。26.根据权利要求25所述的方法，其中所述杂环脂肪族化合物为吡咯烷。27.根据权利要求1
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18中任一项所述的方法，其中所述添加剂包括胺。28.根据权利要求27所述的方法，其中所述胺包括选自由以下项组成的群组的胺：甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、异丙胺、1,2
‑
乙二胺、苯胺、苯胺衍生物、N
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乙基二异丙胺、叔丁胺、胍及其组合。29.根据权利要求27所述的方法，其中所述胺包括氟胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：南森，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：