半导体结构的制造方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，在存储区的基底上形成多个第一掩膜图案，在外围区的基底上形成多个第二掩膜图案，并在第一掩膜图案的侧壁和第二掩膜图案的侧壁形成侧墙，在第一掩膜图案的顶面以及第二掩膜图案的顶面形成填充层，填充层还填满相邻侧墙间的间隙，存储区中填充层的厚度等于外围区中填充层的厚度，还刻蚀填充层，以露出侧墙的顶面、第一掩膜图案的顶面以及第二掩膜图案的顶面，并在去除位于第一掩膜图案顶面及侧面的侧墙、位于第二掩膜图案顶面及侧面的侧墙之后，以填充层、第一掩膜图案以及第二掩膜图案为掩膜，刻蚀去除部分基底。本公开实施例至少能够降低刻蚀部分基底过程中出现的刻蚀不足或者过刻蚀的现象。或者过刻蚀的现象。或者过刻蚀的现象。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其广泛应用于各种电子产品中。存储器按照是否可以直接被中央处理器读取，可以分为内存和外存，内存又可以分为动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)、静态随机存储器SRAM(Static Random Access Memory)及视频存储器VRAM(Video Random Access Memory)等。
[0003]目前在形成目标层的过程中存在不易刻蚀的区域。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，利于提高形成的半导体结构的性能。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底包括存储区以及外围区；形成初始掩膜层于所述基底上；对所述初始掩膜层进行刻蚀处理，以使在所述存储区的剩余所述初始掩膜层构成多个分立的第一掩膜图案，在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括存储区以及外围区；形成初始掩膜层于所述基底上；对所述初始掩膜层进行刻蚀处理，以使在所述存储区的剩余所述初始掩膜层构成多个分立的第一掩膜图案，在所述外围区的剩余所述初始掩膜层构成多个分立的第二掩膜图案；形成侧墙，所述侧墙至少覆盖所述第一掩膜图案的侧壁和所述第二掩膜图案的侧壁；形成填充层，所述填充层覆盖所述第一掩膜图案的顶面以及所述第二掩膜图案的顶面，且还填满相邻的所述侧墙之间的间隙，所述存储区中的所述填充层的厚度等于所述外围区中的所述填充层的厚度；对所述填充层进行刻蚀处理，以露出所述侧墙的顶面、所述第一掩膜图案的顶面以及所述第二掩膜图案的顶面；去除部分所述侧墙，所述部分侧墙包括位于所述第一掩膜图案顶面及侧面的所述侧墙、位于所述第二掩膜图案顶面及侧面的所述侧墙；以所述填充层、所述第一掩膜图案以及所述第二掩膜图案为掩膜，刻蚀去除部分所述基底。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述初始掩膜层进行刻蚀处理的方法包括：在所述初始掩膜层上形成具有开口的图形层，所述开口包括：位于所述存储区的多个第一开口以及位于所述外围区的多个第二开口，其中，在沿第一方向上，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度；以所述图形层为掩膜，沿所述第一开口以及所述第二开口对所述初始掩膜层进行图形化处理，剩余的所述初始掩膜层分别构成所述第一掩膜图案以及第二掩膜图案；去除所述图形层。3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一开口的宽度范围为50nm～80nm，所述第二开口的宽度范围为120nm～330nm。4.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在沿所述第一方向上，形成的所述第一掩膜图案的宽度小于形成的所述第二掩膜图案的宽度。5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在沿第一方向上，所述第一掩膜图案的宽度范围为30nm～50nm，所述第二掩膜图案的宽度范围为100nm～300nm。6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹新满，吴耆贤，黄炜，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：