半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的一实施方式提供一种在制造半导体装置时，能够在被加工层以较高的加工精度形成凹部的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法对形成在衬底之上的被加工层，通过使用第1气体的反应性离子蚀刻，来进行形成凹部的第1蚀刻处理，在第1蚀刻处理之后，在衬底的温度为200℃以上350℃以下的状态下，进行使用包含氢的第2气体对凹部供给氢自由基的第1处理，在第1处理之后，通过使用第3气体的反应性离子蚀刻，来进行对凹部的底面进行蚀刻的第2蚀刻处理。蚀刻的第2蚀刻处理。蚀刻的第2蚀刻处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2021
‑
100233号(申请日：2021年6月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]随着半导体装置的微细化，必须在被加工层以较高的加工精度形成较高的深宽比的凹部。例如，在制造三维半导体存储器时，期望抑制较高的深宽比的存储器孔的形状成为弯曲形状。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式提供一种在制造半导体装置时，能够在被加工层以较高的加工精度形成凹部的半导体装置的制造方法。
[0006]实施方式的半导体装置的制造方法对形成在衬底之上的被加工层，通过使用第1气体的反应性离子蚀刻来进行形成凹部的第1蚀刻处理，在所述第1蚀刻处理之后，在所述衬底的温度为200℃以上350℃以下的状态下，进行使用包含氢的第2气体对所述凹部供给氢自由基的第1处理，在所述第1处理之后，通过使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，对形成在衬底之上的被加工层，通过使用第1气体的反应性离子蚀刻来进行形成凹部的第1蚀刻处理，在所述第1蚀刻处理之后，在所述衬底的温度为200℃以上350℃以下的状态下，进行使用包含氢的第2气体来对所述凹部供给氢自由基的第1处理，在所述第1处理之后，通过使用第3气体的反应性离子蚀刻来进行对所述凹部的底面进行蚀刻的第2蚀刻处理。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1气体包含碳及氟。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过使用所述第1气体的反应性离子蚀刻，而在所述凹部的表面形成第1膜。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1膜包含碳及氟。5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1处理中，将所述第1膜还原。6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1处理中，降低所述第1膜的氟浓度。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第2气体包含氢气。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第2气体还包含氮气，所述第2气体之中的所述氢气的体积比率为10％以下，所述氮气的体积比率为80％以上。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在进行所述第1蚀刻处理之前，在所述被加工层之上形成具有图案的掩模层，将所述掩模层作为掩模来形成所述凹部。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中所述掩模层包含碳。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1处理时的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥笃史，今村翼，李武，板垣雄翔，赵珉吉，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：