一种去除光刻胶底膜的方法技术

本发明专利技术公开一种去除光刻胶底膜的方法，将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上；在所述等离子去胶机中通入氧气，并开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆，通过氧气等离子体对光刻胶进行物理轰击以及化学反应，在第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间下使刻蚀速率达到最理想的状态，一方面能够提高底膜去除效率，另一方面可以有效保护底膜下的膜层不被离子轰击损伤，保证刻蚀效果和膜层性能，从而高效、稳定地去除光刻胶底膜。光刻胶底膜。光刻胶底膜。

【技术实现步骤摘要】
一种去除光刻胶底膜的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工制造
，尤其涉及一种去除光刻胶底膜的方法。

技术介绍

[0002]光刻胶(Photoresist)，别称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。它是由感光树脂、增感剂和溶剂组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶又分为正胶和负胶，正胶本身难溶于显影液，曝光后会离解成一种溶于显影液的结构。负胶曝光后会产生交联，使其结构加强而不溶于显影液。
[0003]光刻工艺要经历基片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀/蒸镀和检测等工序。而底膜是光刻胶曝光显影后，有部分光刻胶未被完全显影去除而留下的，如图1所示，另有正胶有的也因曝光量不足时，在显影时会留下底膜。底膜的产生会阻挡后期的刻蚀或蒸镀工序，前者导致刻蚀不净，如图2所示，性能异常，后者导致膜层粘附不佳，膜层脱落，大大影响晶圆的质量和可靠性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种去除光刻胶底膜的方法，能够高效、稳定地去除光刻胶底膜。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：
[0006]一种去除光刻胶底膜的方法，包括步骤：
[0007]将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上；
[0008]在所述等离子去胶机中通入氧气，并开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆。
[0009]本专利技术的有益效果在于：将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上，在等离子去胶机中通入氧气，并开启载具转盘，使用氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对待处理晶圆进行处理，通过氧气等离子体对光刻胶进行物理轰击以及化学反应，在第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间下使刻蚀速率达到最理想的状态，一方面能够提高底膜去除效率，另一方面可以有效保护底膜下的膜层不被离子轰击损伤，保证刻蚀效果和膜层性能，从而高效、稳定地去除光刻胶底膜。
附图说明
[0010]图1为现有技术中的底膜残留示意图；
[0011]图2为现有技术中的显影时的底膜残留示意图；
[0012]图3为本专利技术实施例的一种去除光刻胶底膜的方法的步骤流程图；
[0013]图4为本专利技术实施例的去除光刻胶底膜的方法中的刻蚀速率与腔体压力关系示意图；
[0014]图5为本专利技术实施例的去除光刻胶底膜的方法中的刻蚀速率与氧气流量关系示意图；
[0015]图6为本专利技术实施例的去除光刻胶底膜的方法中的刻蚀速率与Plasma功率关系示意图；
[0016]图7为本专利技术实施例的去除光刻胶底膜的方法中的吹扫后的晶圆示意图；
[0017]图8为本专利技术实施例的去除光刻胶底膜的方法中的晶圆成品示意图。
具体实施方式
[0018]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0019]请参照图1，本专利技术实施例提供了一种去除光刻胶底膜的方法，包括步骤：
[0020]将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上；
[0021]在所述等离子去胶机中通入氧气，并开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆。
[0022]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上，在等离子去胶机中通入氧气，并开启载具转盘，使用氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma(等离子体)功率和第一预设时间对待处理晶圆进行处理，通过氧气等离子体对光刻胶进行物理轰击以及化学反应，在第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间下使刻蚀速率达到最理想的状态，一方面能够提高底膜去除效率，另一方面可以有效保护底膜下的膜层不被离子轰击损伤，保证刻蚀效果和膜层性能，从而高效、稳定地去除光刻胶底膜。
[0023]进一步地，所述将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上与所述在所述等离子去胶机中通入氧气之间包括：
[0024]将所述等离子去胶机抽真空至18～22mTorr，得到抽真空后的等离子去胶机。
[0025]由上述描述可知，抽真空至18～22mTorr能够使腔体杂质气体较少，有利于后续氧气等离子与光刻胶的化学反应与物理轰击。
[0026]进一步地，所述在所述等离子去胶机中通入氧气包括：
[0027]在所述抽真空后的等离子去胶机中按照25～35ml/min的流量通入氧气。
[0028]由上述描述可知，在抽真空后的等离子去胶机中按照25～35ml/min的流量通入氧气，能够更好的用于光刻胶反应以及Plasma起辉，并用于后续物理轰击。
[0029]进一步地，所述开启所述载具转盘包括：
[0030]按照4～6r/min的速度开启所述载具转盘。
[0031]由上述描述可知，能够保证产品均匀反应和轰击，确保整体清洁效果，从而稳定地去除光刻胶底膜。
[0032]进一步地，所述使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆包括：
[0033]使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行一次处理，得到一次处理后的晶圆；
[0034]按照第二预设Plasma功率和第二预设时间对所述一次处理后的晶圆进行二次处理，得到处理后的晶圆。
[0035]由上述描述可知，使用氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对待处理晶圆进行一次处理，可确保氧分压正常稳定以及刻蚀速率稳定，能够使氧气快速电离生成氧气等离子，促进光刻胶快速反应，并让氧气等离子轰击光刻胶，产生物理化学混合去除模式，可快速清洁光刻胶底膜；再进行二次处理能够充分清洁底膜，并且保护底膜下的膜层不被Plasma物理轰击撞伤而导致膜层性能失效或降低。
[0036]进一步地，所述第一预设真空度为25.5～34.5mTorr，所述第一预设Plasma功率为150～170W，所述第一预设时间为200s；
[0037]所述第二预设Plasma功率为40～60W，所述第二预设时间为100s。
[0038]由上述描述可知，能够使得刻蚀速率达到预设标准，即左右。
[0039]进一步地，所述开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆之后包括：
[0040]使用旋干机清洁所述处理后的晶圆，得到清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，包括步骤：将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上；在所述等离子去胶机中通入氧气，并开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆。2.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述将待处理晶圆放置在等离子去胶机内的载具转盘上与所述在所述等离子去胶机中通入氧气之间包括：将所述等离子去胶机抽真空至18～22mTorr，得到抽真空后的等离子去胶机。3.根据权利要求2所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述在所述等离子去胶机中通入氧气包括：在所述抽真空后的等离子去胶机中按照25～35ml/min的流量通入氧气。4.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述开启所述载具转盘包括：按照4～6r/min的速度开启所述载具转盘。5.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆包括：使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行一次处理，得到一次处理后的晶圆；按照第二预设Plasma功率和第二预设时间对所述一次处理后的晶圆进行二次处理，得到处理后的晶圆。6.根据权利要求5所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述第一预设真空度为25.5～34.5mTorr，所述第一预设Plasma功率为150～170W，所述第一预设时间为200s；所述第二预设Plasma功率为40～60W，所述第二预设时间为100s。7.根据权利要求1所述的一种去除光刻胶底膜的方法，其特征在于，所述开启所述载具转盘，使用所述氧气按照第一预设真空度、第一预设Plasma功率和第一预设时间对所述待处理晶圆进行处理，得到处理后的晶圆之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文浩，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：