一种用于正装LED芯片的透明导电层和正装LED芯片制造技术

技术编号:39964827 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-09 00:19
本技术涉及正装LED芯片技术领域,特别涉及一种用于正装LED芯片的透明导电层和正装LED芯片,包括在透明导电层的正电极形成区域上贯穿开设的第一圆孔,第一圆孔的孔壁向外凹陷形成凹槽,第一圆孔与凹槽用以填充形成正电极的第一金属层,这样使得透明导电层上的开孔面积变大,透明导电层上的开孔面积变大,其孔内用以形成正电极的第一金属层的面积也随之变大,这样孔内所形成的电极所承受的推力也随之变大;而第一圆孔与凹槽所形成的孔与同等面积的圆形孔相比,由于第一圆孔与凹槽所形成的孔向外的深度比同等面积的圆形孔向外的深度要大,所以通过在第一圆孔的孔壁形成凹槽以形成的孔,其孔内所形成的电极所承受的推力也会比较大。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及正装led芯片,特别涉及一种用于正装led芯片的透明导电层和正装led芯片。


技术介绍

1、led(即发光二极管,英文全称为light emitting diode),是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件,led具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点,因此被称为最有潜力的新一代光源,在照明和显示领域极为常见。

2、正装led芯片主要应用于照明领域,对于正装led芯片来说金线在电极层上的焊接牢固性是极其重要;而正装led芯片上的透明导电层上开孔就是为了在孔内形成电极,开孔面积越大,电极与mesa层(即台阶层)的接触面积就越大,电极所承受的推力就会越大,这样电极上所焊接的金线推力也会越大,即金线在电极上的焊接牢固性也会越大;但是正装led芯片上的透明导电层的开孔面积大小也会影响到芯片的光电性能,当孔面积较大时会降低芯片的光电性能。


技术实现思路

1、为了克服上述现有技术的缺陷,本技术所要解决的技术问题是:提供一种用于正装led芯片的透明导电层和正装led芯片,能够在不影响芯片光电性能的同时又能增加电极上金线的焊接牢固性。

2、为了解决上述技术问题,本技术采用的一种技术方案为:

3、一种用于正装led芯片的透明导电层,包括在透明导电层的正电极形成区域上贯穿开设的第一圆孔,所述第一圆孔的孔壁向外凹陷形成凹槽,所述第一圆孔与凹槽用以填充形成正电极的第一金属层。

4、进一步的,所述凹槽的数量为至少三个,至少三个的所述凹槽等角度分布在第一圆孔的周围,所述凹槽有一个弧形槽壁和两个直线形槽壁构成,至少三个的所述凹槽的弧形槽壁在任意同一平面内的弧线均位于同一个虚拟圆的圆弧上,至少三个的所述凹槽的相对两侧的直线形槽壁在任意同一平面内的直线均位于同一个虚拟圆的半径上。

5、进一步的,所述凹槽的数量为三个,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的延长线的夹角为60°,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的长度范围为0mm-5mm。

6、进一步的,所述凹槽的数量为四个,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的延长线的夹角为40°,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的长度范围为0mm-3mm。

7、进一步的,所述透明导电层的负电极形成区域上贯穿开设有第一通槽,所述第一通槽用以填充形成负电极的第二金属层。

8、为了解决上述技术问题,本技术采用的另一种技术方案为:

9、一种正装led芯片,包括外延层、电流阻挡层和上述的透明导电层,所述透明导电层位于外延层和电流阻挡层之间且透明导电层分别与外延层与电流阻挡层接触。

10、进一步的,所述电流阻挡层的正电极形成区域上贯穿开设有第二圆孔,所述第二圆孔的圆心与第一圆孔的圆心在同一轴线上,且所述第二圆孔的直径大于第一圆孔的直径,所述凹槽向外的深度小于第二圆孔与第一圆孔的半径差,所述第二圆孔中填充有用以形成正电极的第一金属层,所述第一圆孔和凹槽内填充的第一金属层与外延层接触。

11、进一步的,还包括mesa层,所述mesa层位于外延层和透明导电层之间且mesa层分别与外延层和透明导电层接触。

12、本技术的有益效果在于:

13、通过在透明导电层的正电极形成区域上贯穿开设的第一圆孔,第一圆孔的孔壁向外凹陷形成凹槽,第一圆孔与凹槽用以填充形成正电极的第一金属层,这样使得透明导电层上的开孔面积变大,透明导电层上的开孔面积变大,其孔内用以形成正电极的第一金属层的面积也随之变大,这样孔内所形成的电极所承受的推力也随之变大;而第一圆孔与凹槽所形成的孔与同等面积的圆形孔相比,由于第一圆孔与凹槽所形成的孔向外的深度比同等面积的圆形孔向外的深度要大,所以通过在第一圆孔的孔壁形成凹槽以形成的孔,其孔内所形成的电极所承受的推力也会比较大,从而电极上所焊接的金线推力也会增大,即金线在电极上的焊接牢固性也增大,从而能够实现在不影响芯片光电性能的同时又能增加电极上金线的焊接牢固性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于正装LED芯片的透明导电层,其特征在于,包括在透明导电层的正电极形成区域上贯穿开设的第一圆孔,所述第一圆孔的孔壁向外凹陷形成凹槽,所述第一圆孔与凹槽用以填充形成正电极的第一金属层。

2.根据权利要求1所述的用于正装LED芯片的透明导电层,其特征在于,所述凹槽的数量为至少三个,至少三个的所述凹槽等角度分布在第一圆孔的周围,所述凹槽由一个弧形槽壁和两个直线形槽壁构成,至少三个的所述凹槽的弧形槽壁在任意同一平面内的弧线均位于同一个虚拟圆的圆弧上,至少三个的所述凹槽的相对两侧的直线形槽壁在任意同一平面内的直线均位于同一个虚拟圆的半径上。

3.根据权利要求2所述的用于正装LED芯片的透明导电层,其特征在于,所述凹槽的数量为三个,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的延长线的夹角为60°,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的长度范围为0mm-5mm。

4.根据权利要求2所述的用于正装LED芯片的透明导电层,其特征在于,所述凹槽的数量为四个,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的延长线的夹角为40°,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的长度范围为0mm-3mm。

5.根据权利要求1所述的用于正装LED芯片的透明导电层,其特征在于,所述透明导电层的负电极形成区域上贯穿开设有第一通槽,所述第一通槽用以填充形成负电极的第二金属层。

6.一种正装LED芯片,其特征在于,包括外延层、电流阻挡层和权利要求1-5任意一项所述的透明导电层,所述透明导电层位于外延层和电流阻挡层之间且透明导电层分别与外延层与电流阻挡层接触。

7.根据权利要求6所述的正装LED芯片,所述电流阻挡层的正电极形成区域上贯穿开设有第二圆孔,所述第二圆孔的圆心与第一圆孔的圆心在同一轴线上,且所述第二圆孔的直径大于第一圆孔的直径,所述凹槽向外的深度小于第二圆孔与第一圆孔的半径差,所述第二圆孔中填充有用以形成正电极的第一金属层,所述第一圆孔和凹槽内填充的第一金属层与外延层接触。

8.根据权利要求6所述的正装LED芯片,其特征在于,还包括MESA层,所述MESA层位于外延层和透明导电层之间且MESA层分别与外延层和透明导电层接触。

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【技术特征摘要】

1.一种用于正装led芯片的透明导电层,其特征在于,包括在透明导电层的正电极形成区域上贯穿开设的第一圆孔,所述第一圆孔的孔壁向外凹陷形成凹槽,所述第一圆孔与凹槽用以填充形成正电极的第一金属层。

2.根据权利要求1所述的用于正装led芯片的透明导电层,其特征在于,所述凹槽的数量为至少三个,至少三个的所述凹槽等角度分布在第一圆孔的周围,所述凹槽由一个弧形槽壁和两个直线形槽壁构成,至少三个的所述凹槽的弧形槽壁在任意同一平面内的弧线均位于同一个虚拟圆的圆弧上,至少三个的所述凹槽的相对两侧的直线形槽壁在任意同一平面内的直线均位于同一个虚拟圆的半径上。

3.根据权利要求2所述的用于正装led芯片的透明导电层,其特征在于,所述凹槽的数量为三个,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的延长线的夹角为60°,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的长度范围为0mm-5mm。

4.根据权利要求2所述的用于正装led芯片的透明导电层,其特征在于,所述凹槽的数量为四个,所述凹槽的两个直线形槽壁在任意同一平面内的直线的延长线的夹...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄章挺张帆李培双
申请(专利权)人:福建兆元光电有限公司
类型:新型
国别省市:

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