一种防顶针的倒装LED电极结构制造技术

本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装LED电极结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有N电极区和P电极区，所述N电极区设有N型氮化镓，所述N型氮化镓上设有N电极，所述P电极区设有P电极，所述P电极靠近N电极的一侧设有电极扩展条。本技术提供的防顶针的倒装LED电极结构可避免扩展条在中间防止顶针，降低芯片失效的风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装led电极结构。

技术介绍

1、led即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。小尺寸倒装led显示芯片如mini led芯片是现今led发展的趋势。倒装led芯片的结构可参考申请号为cn201721733608.0、名称为一种倒装led电极结构的中国技术专利，倒装led芯片在封装时，利用机台上的顶针将芯片正面顶起，顶起后利用吸嘴将芯片放在封装支架上。目前，由于封装的水平参差不齐，顶针无法精确的顶住led芯片的中心，若顶针顶到led芯片的电极扩展条上，则会造成dbr反射层碎裂，导致芯片失效。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种防顶针的倒装led电极结构，降低芯片失效的风险。

2、为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种防顶针的倒装led电极结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有n电极区和p电极区，所述n电极区设有n型氮化镓，所述n型氮化镓上设有n电极，所述p电极区设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防顶针的倒装LED电极结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有N电极区和P电极区，所述N电极区设有N型氮化镓，所述N型氮化镓上设有N电极，所述P电极区设有P电极，所述P电极靠近N电极的一侧设有电极扩展条；

【技术特征摘要】

1.一种防顶针的倒装led电极结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有n电极区和p电极区，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，张帆，郑高林，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：